| 发明名称 |
DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR DE TYPE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP |
| 摘要 |
<P>UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR SELON L'INVENTION COMPREND: UN SUBSTRAT 1 DE GAAS; UNE COUCHE 2 DE GAAS DE FAIBLE CONCENTRATION EN IMPURETES FORMEE SUR LE SUBSTRAT DE GAAS; UNE COUCHE 13 DE ALGAAS DE FAIBLE CONCENTRATION EN IMPURETES FORMEE SUR LA COUCHE 2 DE GAAS; UNE ELECTRODE DE GRILLE 5 DE SILICIUM OU D'UN COMPOSE DE SILICIUM ET D'UN METAL, FORMEE SUR LA COUCHE 13 DE ALGAAS; ET UNE ELECTRODE DE SOURCE 6 ET UNE ELECTRODE DE DRAIN 7 FORMEES SUR LA COUCHE 13 DE ALGAAS. AVEC CETTE STRUCTURE, ON PEUT OBTENIR UN TRANSISTOR A MOBILITE ELECTRONIQUE ELEVEE DANS LEQUEL LA TENSION DE SEUIL V EST ESSENTIELLEMENT NULLE.</P><P>APPLICATION AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION.</P>
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| 申请公布号 |
FR2582152(A1) |
申请公布日期 |
1986.11.21 |
| 申请号 |
FR19850018969 |
申请日期 |
1985.12.20 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
YOJI KATO, SEIICHI WATANABE ET MIKIO KAMATA;WATANABE SEIICHI;KAMATA MIKIO |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;H01L29/43;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/76 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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