发明名称 经减小粒子尺寸之催化性铂族金属
摘要
申请公布号 TW086801 申请公布日期 1987.05.01
申请号 TW074102525 申请日期 1985.06.11
申请人 希普莱有限公司 发明人
分类号 C23C18/54 主分类号 C23C18/54
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种形成由平均最大尺寸不超过500埃的被还原的铂族金属以及一种有机水可溶或可分散之聚合悬浮剂所组成的被吸收物质的一种方法,该方法包括:a. 形成一种浓度至少为lOppm之铂族金属的酸水溶液,该水溶液之pH値不超过5.5,b. 于铂族金属之水溶液中加入一种聚合之悬浮剂,该悬浮剂于稳定被还原之钯使免于凝集,沈淀及氧化分解时具有与被还原之铂族金属结合的能力,然后,c. 于前述溶液中迅速加入一还原剂,于0至20C之温度范围内还原铂族金属,且大致同时形成核。2. 如请求专利部份第1项之方法,其中之铂族金属为钯。3. 如请求专利部份第21项之方法,其中之聚合的有机悬浮剂为聚乙烯基 咯烷酮。4. 如请求专利部份第3项之方法,其中溶液之温度系维持于5至15C之间,pH値系维持于1.5至3.6之间。5. 如请求专利部份第3项之方法,其中被还原之钯的平均最大尺寸不超过300埃。6. 如请求专利部份第1项之方法,其中于还原反应时溶液中溶解之钯的浓度所介于10至2,000ppm 之间。7. 如请求专利部份第6项之方法,其中钯之浓度系介于300至1,500ppm之间。8. 如请求专利部份第3项之方法,其中之还原剂系选自包含了抗壤血酸及异一抗壤血酸之群体。9. 如请求专利部份第3项之方法,其中于还原反应之步骤后包括于该催化性被吸收物质之溶液中加入一种选自包含了醇及二醇之群体中之含有羟取代基的化合物的步骤,俾抑制钯粒子继续生长。10. 如请求专利部份第9项之方法,其中之羟化合物为丙二醇甲基醚。11. 一种无电镀金属法,该方法包括将一欲镀之部份沈浸于一种包括一与有机悬浮剂紧密结合之被还原之铂族金属的催化性被吸收物质的一种悬浮液中,然后藉着将该部份沈浸于一种无电镀金属溶液中而使该部份被镀上金属。12. 如请求专利部份第11项之方法,该方法包括如下之步骤 : 钻通孔(drill-ing througk-hole),以催化性被吸收物质催化该通孔 ; 于一种所欲之电路型式之像中筛印以及熟化一种能够抵抗镀物用化学品之侵蚀之筛印墨于印刷电路板基质上;接着熟化该筛印墨,然后于该印刷电路板基质上镀上无电铜。13. 如请求专利部份第11项之方法,该方法包括如下之步骤:钻通孔;使印刷电路板基质粗化;于印刷电路板基质上印上一种足以抵抗于一种所欲之电路型式之负像中之镀物化学品之侵蚀的墨,以及热化该墨,以催化性被吸收物质催化之;以一种剥蚀溶液剥去催化性被吸收物质,藉此使催化性被吸收物质上之墨剥去,但仍有足量之催化性被吸收物质保留于电路板基质上以利催化反应;然后将铜镀于该印刷电路板基质上至所欲之厚度。14. 如请求专利部份第11项之方法,该方法包括于将欲镀部份沈浸于催化性被吸收物质之溶液中以前,先将该欲镀部份沈浸于一种带正电荷之聚合物的溶液之中的步骤。15. 如请求专利部份第11项之方法,其中之带正电荷之聚合物为聚胺。16. 如请求专利部份第11项之方法,其中之无电金属淀积物上可镀以无电或电解的金属。
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