发明名称 半导体雷射
摘要
申请公布号 TW086855 申请公布日期 1987.05.01
申请号 TW074103173 申请日期 1985.07.19
申请人 新力股份有限公司 发明人
分类号 H01S3/85 主分类号 H01S3/85
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 一种半导体雷射装置,包含:于半导体基板之一部份领域上装设半导体雷射晶片,于半导体基板之未装设半导体雷射晶片之领域之表面部上设有将上述半导体雷射晶片送来之雷射光加以接收之多数个光检出部,藉由该光检出部之输出以检查上述雷射光之特性;等为其构成特征者。
地址 日本