| 发明名称 | 半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆 | ||
| 摘要 | 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN106068546A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201580011705.6 | 申请日期 | 2015.02.10 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志;小林昇一;栗本宏高 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
| 主权项 | 一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||