| 摘要 |
<p>Un réseau de photodiodes HgCdTe pour la détection d'un rayonnement à infrarouge à longueur d'onde moyenne possède une structure stratifiée consistant en un substrat, une couche tampon à large intervalle de bande fortement dopée, et une couche de base à intervalle de bande étroit légèrement dopée. Deux ensembles de rainures en forme de U disposées orthogonalement sont réalisés par attaque chimique complètement au travers de la couche de base et partiellement au travers de la couche tampon, formant ainsi une pluralité de structures en forme de mésa. Sur une portion de la couche de base contenue dans chaque mésa se trouve une couche de recouvrement de conductivité opposée. La jonction de la couche de base et de la couche de recouvrement dans chaque mésa forme une photodiode. Une zone de métallisation est en contact avec chaque couche de recouvrement pour assurer la connexion de la diode sous-jacente à un dispositif de lecture. Une autre couche de métallisation est en contact avec la couche tampon pour former une connexion électrique commune au réseau de photodiodes. Une couche de passivation contenant une charge positive fixe est déposée sur les surfaces des mésas. La charge crée une couche d'inversion dans la surface de la couche de base exposée le long des parois des mésas, élargissant ainsi la jonction p-n de chaque photodiode. Un rayonnement frappant une surface inférieure du substrat transparent passe au travers du substrat et entre dans la couche tampon qui est également transparente. Le rayonnement transmis au travers de la couche tampon est absorbé dans la partie de la couche de base contenue dans chaque mésa, ce qui a pour résultat de produire des courants de diode.</p> |
