| 发明名称 | 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<sub>BACK</sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应的V<sub>BACKR</sub>信号；并将第一压控振荡器输出的小信号经过放大后，再通过表决器表决，输出稳定的PLL输出信号。本发明与非加固自偏置PLL相比，具有更好的抗单粒子效应能力，并能够满足宇航应用的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN106130545A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610430735.7 | 申请日期 | 2016.06.17 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 发明人 | 周昕杰;陈嘉鹏;潘滨;张国贤;陈瑶 |
| 分类号 | H03L7/085(2006.01)I;H03L7/089(2006.01)I;H03L7/099(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人 | 杨立秋 |
| 主权项 | 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，其特征在于：所述自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<sub>BACK</sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路(41)进行加固，得到能够抗单粒子效应的V<sub>BACKR</sub>信号；并将第一压控振荡器(6)输出的小信号经过放大后，再通过表决器(64)表决，输出稳定的PLL输出信号。 | ||
| 地址 | 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 | ||