| 摘要 |
본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 기판 상에 교대로 적층되는 게이트 전극들 및 층간 절연층들, 게이트 전극들 및 층간 절연층들을 관통하는 채널 영역들, 채널 영역들 사이에서 게이트 전극들 및 층간 절연층들을 관통하여 상기 층간 절연층들 중 최상층으로부터 상기 기판까지 연장되며 외측벽에 요철을 갖는 도전층, 도전층의 외측벽 상에 배치되는 스페이서층, 스페이서층의 적어도 일측면 상에 배치되는 배리어층을 포함하고, 스페이서층과 배리어층은 서로 상이한 식각 선택비를 가질 수 있다. |
