Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

摘要

데이터의 재기입에 의한 신뢰성 열화를 억제하는 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 데이터 소거 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 NAND형 플래시 메모리의 소거 방법은, 제어 게이트를 0V로 유지하고, P웰(14)에 고전압의 소거 펄스(Ps)를 인가함으로써 부유 게이트로부터 전자를 P웰(14)에 방출시킨 후 다시 제어 게이트를 0V로 유지하고, 소거 펄스(Ps)보다 전압이 낮은 약한 소거 펄스(Pw)를 P웰(14)에 인가하는 것을 포함한다.