| 发明名称 |
Substrate processing apparatus |
| 摘要 |
본 발명은 반응 챔버와, 상기 반응 챔버 외부에서 적어도 하나의 제 1 공정 가스의 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 발생부와, 상기 반응 챔버 내부에서 적어도 하나의 제 2 공정 가스의 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 발생부와, 상기 제 1 공정 가스의 플라즈마와 상기 제 2 공정 가스를 서로 다른 경로를 통해 상기 반응 챔버 내부로 분사하는 가스 분배부를 포함하는 기판 처리 장치를 제시한다. |
| 申请公布号 |
KR20160134908(A) |
申请公布日期 |
2016.11.24 |
| 申请号 |
KR20150066635 |
申请日期 |
2015.05.13 |
| 申请人 |
CHARM ENGINEERING CO., LTD. |
发明人 |
SEO, YOUNG SOO;BYEON, HYEONG SEOK;MIN, SUK KI |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/205;H05H1/46 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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