发明名称 金属化基体及制法
摘要
申请公布号 TW100360 申请公布日期 1988.06.16
申请号 TW076105268 申请日期 1987.09.07
申请人 思格哈特有限公司 发明人 派斯卡林.古元
分类号 H01L49/02 主分类号 H01L49/02
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一金属化基体含有一电介质基体,一由一准金曲有机组成物所制造的金属层,以及一导电性金属层在那上面。2.如申专利范围第1项的金属化基体,其中导电性金属层是藉屏蔽印刷或电锻来形成。3.如申请专利范围第2项的金属化基体,其中导电性金属层是藉屏蔽印刷来形成。4.如申请专利范围第3项的金属化基体,其中导电性金属层是藉电镀来形成。5.如申请专利范围第1项的金属化基体,其中准金属有机组成物含有至少一个贵金属树脂酸盐,至少一个膜形成树脂酸盐以及至少一个贱金属树脂酸盐和电介质基体,电介质基体选自由96%氧化铝,经抛光的氧化铝以及融合的矽所组成的组群。6.如申请专利范围第4项的金属化基体,其中准金属有机组成物含有至少一个贵金属树脂酸塭,至少一个膜形成树脂酸盐以及至少一个不同于锡,铋或铬的贱金属树脂酸盐。7.如申请专利范围第s项的金属化基体,其中贵金属树脂酸盐是选自由金,银,铂,钯或其混合物所组成的组群。8.如申请专利范围第1项的金属化基体,其中导电性金属层含有金或铜。9.如申请专利范围第1项的金属化基体,其中金属化基体是一微波积体电路基体。10.如申请专利范围第9项的金属化基体,其中微波积体宙路基体是一微波传输带传输线。11.一制造一金属化基体的方法包含藉应用一堆金属有机组成物至一电介质基体形成一第一黏附促进层,其后形成一导电层在那上面。12.如申请专利范围第11.项的一方法,其中一第一黏附促进层是藉屏蔽印刷形成的而导电层是藉电镀形成的。13.如申请专利范围第11.项的一方法,其中第一黏附促进层和导电层皆藉屏蔽印刷形成。14.如申请专利范围第11.项的一方法,其中金属化基体是一微波积体电路基体而导电线和基面图案是藉由光阻和蚀刻技术形成在那上面。15.如申请专利范围第11.项的一方法,其中一第二黏附促进层是形成在第一黏附促进层上,其来自一金属有机组成物先于导电层的形成。16.如申请专利范围第11.项的一方法,其中电介质基体是选自由96%氧化铝,经抛光的氧化铝灰融合的矽所组成的组群。17.如申请专利范围第11.项的一方法,其中准金属有机组成物含有至少一个贵金属树脂酸塭,至少一个膜形成树脂酸盐以及至少一个贱金属树脂酸盐。18.如申请专利范围第15.项的一方法,其中准金属有机组成物用于形成第二黏附促进层,其含有至少一个贵金属树脂酸盐和至少一个膜形成树脂酸盐。19.如申请专利范围第17.项的方法,其中导电层是藉电镀准金属有机组成物而形成的,准金属有机组成物其中至少一个贱金属树脂酸盐既不是锡,铋也不是铭。20.如申请专利范围第11.项的方法,其中导电层是由金或铜所形成。
地址 美国
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