| 主权项 |
1.藉由金属在一具第一和第二表面之膜内金属以其零价状态淀积之金属中间层淀积(MID )方法,此方法包括将金属加到第一表面之至少一部份,一还原剂加到第二表面之至少一部份,金属离子是以一正氧化状态和以一配位状态,如此它们在膜之内有移动性并经膜向第二表面之概括方向输送,还原剂是以对金属阳离子是负氧化状态并以配位状态如此在膜之内可移动并经膜以概括方向向第一表面输送,其厚度( int )是小于膜之厚度(L)。2.请求专利部份第1.项之方法,其中金属是以粒子直径不大于500A淀积下来。3.请求专利部份第1.项之方法,其中金属离子和还原剂间之反应速率是人到足以以一大约高达膜之1/10厚度大连续层产生一金属中间层淀积。4.请求专利部份第1.项之方法,其中多重中间层是将膜连续暴露于许多金属离子/还原剂组合而形成的。5.请求要利部份第4.项之方法,其中膜是暴露于除了金属离子和还原剂浓度相同以外之至少2个金属离子/还原剂组合。6.请求葱利部份第1.项之方法,其中膜是一有机联合物膜。7.请求专利部份第6.项之方法,其中有机聚合膜是选自聚亚胺,纤维素,聚(己撑己二醯二胺),聚丙烯 ,聚氯乙烯,聚氯乙烯及聚偏二氯乙烯。8.请求专利部份第6.项之方法,其中金属离子是以溶液供给,金属是选自Cu,Ag,Au,Cd,Hg,Cr,Co,Ni,Pd,Pt和Sn9.请求专利部份第6.项之方法,其中还原剂是以溶液供给,还原剂是氢硼化钠或三甲氧基氢硼化钠。10.请求专利部份第1.项之方法,其中膜之一或两表面含一不透性区域之平面模型,淀积金属相当于此模型。11.请求专利部份第1.项之方法之施行期间是于长到足以获得一密度与整体金属之密度的65﹪一样高之中间层之期间内施行。12.请求专重利部份第1.项之方法,是于长到足以获得一导电度大约是整体金属的5 -10﹪之中间层之期间内施行。13.请求专利部份第1.项之方法,其中金属是以一厚0.3-10微米之连续层淀积下来。14.请求专利部份第6.项之方法,其中膜之厚度是在20-100微米范围之内。15.请求专利部份第14.项之方法,其中金属是Ag ,膜是由一聚亚胺组成。16.请求专利部份第14.项之方法,其中金属是Cu ,膜是由一聚亚胺组成。17.请求专利部份第14.项之方法,其中金属是Au ,膜是由一聚亚胺组成。18.请求专利部份第15.项之方法,其中膜是由-4,4'-氧二苯胺和苯均四酸二 之聚亚胺组成。19.请求专利部份第16.项之方法,其中膜是由4,4'-氧二苯胺和苯均四酸二之聚亚胺组成。20.请求专利部份第17.项之方法,其中膜是由4,4'-氧二笨胺和苯均四酸二之聚亚胺组成。21.由请求专利部份第1.项之方法产生之中间层之电及/或光性质在原位之修改方法,此方法包括加热中间层,以本身全部或以一空间选择方式加热,如此熔结金属但对膜之性质没有不利影响。22.请求专利部份第21.项之方法,其中电间层是以一空间选择方式藉一雷射光加热。23.请求专利部份第21.项之方法,其中电及/或光性质之修改使电导度和光反射性增加,无论是整个中间层或其达定部份都可使其电导度和光反射性增加。24.请求专利部份第23.项之方法,其中加热是连续不断直至电导度和光反射性达最大。25.请求专利部份第24.项之方法,其中中间层已经热至达到所说之最大限度并进一步在选定部位加热以便使导电性和光反射性比最大限度小。26.请求专利部份第21.项之方法,其中膜是4,4'-氧二苯胺和苯均二酸二之聚亚胺,金属是银,中间层之导电性不大于约7xl03 (ohm cm)-1,熔结银之导电度至少2.5x104 (ohm cm)-1。27.由请求专利部份第1.项之方法制成之膜构造,其中中间层已经以其全部或以控制空间部位熔结之。28.请求专利部份第27.项之膜构造,其中有许多中间层。29.请求专利部份第27.项之膜构造,其中膜是一有机聚合膜。30.请求专利部份第29.项之膜构造,其中熔结中间层系藉由一雷射光将末熔结中间层以控制空间部位加热而制成的。31.由请求专利部份第1.项之方法制成之一聚亚胺膜内在原位增加一中间层之导电度及/或光反射性之方法,中间层是由粉碎银及/或金组成,中间层无论以其全部或以空间选择方式加热是为了将粉碎银及/或金熔结,但对聚亚胺之性质没有不利之影响。 |
