| 发明名称 |
Semiconductor Fuse Circuit Semiconductor Device Comprising The Semiconductor Fuse Circuit Semiconductor Module Comprising The Semiconductor Device |
| 摘要 |
반도체 퓨즈 회로를 제공할 수 있다. 이를 위해서, 반도체 기판에 제 1 및 2 절연막들을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 2 절연막들 사이의 반도체 기판에 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역들이 배치될 수 있다. 상기 소오스 및 드레인 영역들의 반대편의 제 1 및 2 절연막들 상에 트랜지스터의 게이트 영역 및 서브 영역(Sub regio)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극 및 서브 영역은 소오스 및 드레인 영역들과 함께 불순물 확산 영역들로 형성될 수 있다. 상기 반도체 퓨즈 회로는 반도체 장치에 배치될 수 있다. 상기 반도체 장치는 반도체 모듈에 배치될 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR101659834(B1) |
申请公布日期 |
2016.09.27 |
| 申请号 |
KR20100029426 |
申请日期 |
2010.03.31 |
| 申请人 |
삼성전자주식회사 |
发明人 |
안우송;야마다 사토루;최영진;한승욱;채교석 |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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