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发明名称 MANUFACTURE OF COMPLEMENTARY MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS642349(A) 申请公布日期 1989.01.06
申请号 JP19870158072 申请日期 1987.06.24
申请人 NEC CORP 发明人 TOYODA SHIYUUJI
分类号 H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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