| 发明名称 | 一种无模板电沉积法制备硒化钴超级电容器材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种无模板电沉积法制备Co<sub>0.85</sub>Se超级电容器材料的方法，该材料为纳米花结构。该Co<sub>0.85</sub>Se纳米材料的合成为无模板电沉积法，主要包括：1）配置Na<sub>2</sub>SeO<sub>3</sub>和Co(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>溶液，再加入CH<sub>3</sub>COOLi溶液混合，得前躯体溶液；2）将镍网浸入前躯体溶液中，用电化学沉积法将Co<sub>0.85</sub>Se纳米材料沉积到镍网表面；3）将产物分别用去离子水、乙醇冲洗后干燥，即得。本发明操作及设备简单、且无需模板可大面积制备，形成的Co<sub>0.85</sub>Se纳米花分布均匀。Co<sub>0.85</sub>Se纳米材料电极在三电极体系下测试，在1A/g的电流密度下表现出1065F/g的高比容量，电荷转移阻抗为0.43Ω/cm<sup>2</sup>。本发明制备的Co<sub>0.85</sub>Se纳米电极材料具有优异的电化学倍率性能和循环稳定性能，拓展了电化学电容器材料的制备方法和应用领域。 | ||
| 申请公布号 | CN106024405A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610372815.1 | 申请日期 | 2016.05.31 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 吕建国;杨杰 |
| 分类号 | H01G11/30(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I;C01B19/00(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01G11/30(2013.01)I |
| 代理机构 | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人 | 张宇娟;衣秀丽 |
| 主权项 | 一种无模板电沉积法制备的Co<sub>0.85</sub>Se超级电容器材料，其特征在于：所述Co<sub>0.85</sub>Se超级电容器材料为纳米材料，由分布均匀、排列紧密的Co<sub>0.85</sub>Se纳米花组成，且纳米花的花瓣厚度不超过10nm，纳米花瓣相互交错形成孔状结构。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||