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Est décrit un système de configuration logique à l'arséniure de gallium pour concevoir des circuits intégrés L.S.I. personnalisés ou semi-personnalisés au moyen de cellules standard issues d'une bibliothèque de cellules. On utilise des transistors D-MESFET et des diodes de Schottky pour mettre en oeuvre les types de cellule dans de l'arséniure de gallium afin d'obtenir des niveaux de performances inférieurs à 150 picosecondes de temps de propagation par porte. Chaque dé de circuit intégré est réalisé à partir d'une bibliothèque de cellules renfermant trois cellules standard. La limitation du nombre des cellules standard utilisées pour la structure logique permet un délai d'exécution rapide et efficace entre la conception logique et la fabrication. Un nombre minimal de masques est nécessaire pour la mise en oeuvre du circuit intégré personnalisé, en raison de la conception efficace des types de cellule. L'implantation et l'interconnexion des cellules sur le dé sont également exécutées de manière efficace grâce aux emplacements prédéfinis réservés à l'implantation des cellules et aux canaux de tracés prédéfinis réservés à l'interconnexion. Est également décrite une cellule amplificatrice d'impulsions qui est destinée à la bibliothèque de cellules et qui corrige en phase différentielle un signal d'horloge diphasé pour garantir que les deux lignes d'impulsions sont parfaitement déphasées en permanence. La combinaison de ce signal d'horloge diphasé strictement contrôlé et des configurations de cellules à l'arséniure de gallium permet à des réalisations logiques numériques à un niveau d'intégration à grande échelle de fonctionner à des fréquences de base de 1GHz. |
