| 发明名称 |
The Resistance Random Access Memory |
| 摘要 |
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극층, 상기 제 1전극층 상에 형성된 열 전도 물질층, 상기 열 전도 물질층 상에 형성된 저항변화 물질층 및 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리에 관한 것이다. |
| 申请公布号 |
KR20160125843(A) |
申请公布日期 |
2016.11.01 |
| 申请号 |
KR20150056866 |
申请日期 |
2015.04.22 |
| 申请人 |
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
发明人 |
CHOI, SUNG YOOL;JANG, BYUNG CHUL |
| 分类号 |
H01L45/00 |
主分类号 |
H01L45/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
