| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mehreren Leitbahnebenen, bei dem auf der letzten Passivierungsschicht eine Metallschicht aufgebracht wird, die dazu dient, auf dieser Metallschicht Metallkontakte herzustellen. Die freiliegende Metallschicht wird anschließend duch Naßätzen entfernt, wodurch durch Löcher und Risse in der letzten Passivierungsschicht die darunterliegende Leitbahn angeätzt oder durchgeätzt werden kann, was zu einer Zerstörung der Halbleiteranordnung führen kann. Das erfindungsgemäße Verfahren besteht darin, eine zusätzliche Passivierungsschicht aus Polyimid auf die letzte Passivierungsschicht aufzubringen, um deren Löcher und Risse aufzufüllen. Diese Polyimidschicht ist beständig gegenüber dem nachfolgenden Ätzprozeß und verhindert somit eine Beschädigung der darunterliegenden Leitbahn.</p> |
