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发明名称 MANUFACTURE OF GALLIUM ARSENIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH01244667(A) 申请公布日期 1989.09.29
申请号 JP19880072293 申请日期 1988.03.25
申请人 NEC CORP 发明人 KAWABATA TAKAHIRO
分类号 H01L21/28;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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