| 主权项 |
1﹒一种双极性电晶体其包含:(a)一具有一预定导电型式之设有一顶面之半导体基质;(b)一形成于前述基质中之第一沟槽;(c)一设于前述第一沟槽中之具有前述预定导电型式之射极区;(d)一设于前述基质中并围包述第一沟槽之具有相反导电型式之基极区;(e)一设于前述基质中并与前述基极区相分隔之具有前述预定导电型式之集极区;以及(f)前述射极区、基极区及集极区之接点。2﹒如申请专利范围第1项之双极性电晶体,其中前述基质包括一位于其上且导电型式与前述基质相反之晶膜层,前述晶膜层包括前述之顶面。3﹒如申请专利范围第2项之双极性电晶体,其中前述射极区延伸至前述第一沟槽之侧壁内。4﹒如申请专利范围第2项之双极性电晶体,另包括设于前述第一沟槽内之预定导电型式之掺杂聚矽(Polysilicon)以形成前述射极区。5﹒如申请专利范围第3项之双极性电晶体,另包括设于前述第一沟槽内之预定导电型式之掺杂聚矽以形成前述射极区。6﹒如申请专利范围第2项之双极性电晶体,其中前述集极区包含一设于前述基质内并与前述第一沟槽相分隔之第二沟槽,前述集极区延伸至前述第二沟槽之侧壁内。7﹒如申请专利范围第6项之双极性电晶体,其中前述集极区内另包括预定导电型式之掺杂聚矽。8﹒如申请专利范围第3项之双极性电晶体,其中前述集极区包含一设于前述基质内并与前述第一沟槽相分隔之第二沟槽,前述集极区延伸至前述第二沟构之侧壁内。9﹒如申请专利范围第8项之双极性电晶体,其中前述集极区内另包括预定导电型式之掺杂聚矽。10﹒如申请专利范围第4项之双极性电晶体,其中前述集极区包含一设于前述基质内并与前述第一沟槽相分隔之第二沟槽,前述集极区延伸至前述第二沟槽之侧壁内。11﹒如申请专利范围第10项之双极性电晶体,,其中前述集极区内另包括预定导电型式之掺杂聚矽。12﹒如申请专利范围第5项之双极性电晶体,其中前述集极区包含一设于前述基质内并与前述第一沟槽相分隔第二沟槽,前述集极区延伸至前述第二沟槽之侧壁内。13﹒如申请专利范围第12项之双极性电晶体,其中前述集极区内另包括预定导电型式之掺杂聚矽。14﹒一种积体电路其包含:(a)一具有一预定导电型式之设有一顶面之半导体基质;(b)设于前述基质内之复数组双极性电晶体,每一至晶体包含:(C)一形成于前述基质中之第一沟槽;(d)一设于前述第一沟槽中之具有前述预定导电型式之射极区;(e)一设于前述基质中并围包与前述第一沟槽之具有相反导电型式之基极区;(f)一设于前述基质中并与前述基极区相反隔之具有前述预定导电型式之集极区;以及(g)前述射极区、基极区及集极区之接点。15﹒如申请专利范围第14项之积体电路,其中前述基质包括一位于其上且导电型式与前述基质相反之晶膜层,前述膜膜层包括前述之顶面。16﹒如申请专利范围第15项之积体电路,其中前述射极区延伸至前述第一沟槽之侧壁内。17﹒如申请专利范围第15项之积体电路,另包括设于前述第一沟槽内之预定导电型式之掺杂聚矽以形成前述射极区。18﹒如申请专利范围第16项之积体电路,另包括设于前述第一沟槽内之预定导电型之式之掺杂聚矽以形成前述射极区。19﹒一种半导体装置其包含:(a)一具有预定导电型式之基质其内形成一沟槽;(b)一设于前述基质内之双极性电晶体其电子射极区及控制区系设于前述沟槽内;以及(C)一设于前述基质内并与前述沟槽相分隔之电子集极区。20﹒一种形成一双极性电晶体之方法,其包含下列步骤:(a)提供一具有预定导电型式之设有一顶面之半导体基质;(b)于前述基质内形成一具有相反导电型式之浅薄区;(c)于前述基质内形成一延伸穿越前述浅薄区之沟槽;(d)于前述沟槽内形成基极区与射极区;以及(e)于前述基质内形成一与前述沟槽相分隔之集极区。21﹒如申请专利范围第30项之方法,其中前述其基质包括一位于其上且导电型式与前述基质相反之晶膜层,前述晶膜层包括前述之顶面。22﹒如申请专利范围第21项之方法,其中前述形成基极区与射极区之步骤包含沈积一具有相反导电型式之掺杂质至前述沟槽内且着沈积一具有前述预定导电型式之掺杂质至前述沟槽内。23﹒如申请专利范围第22项之方法,其中前述沈清前述预定导电型式之掺杂质之步骤包括以含有一具有前述预定导电型式之掺杂质之聚矽充填前述沟槽并容许前述掺杂质由前述聚矽处扩散至前述沟槽之侧壁处。23﹒如申请专利范围第21项之方法,其中前述形成前述集极区之步骤包含形成一第二沟槽并沈积一具有前述预定导电型式之掺杂质至前述沟槽内。25﹒如申请专利范围第23项之方法,其中前述将前述掺杂质沈积至前述第二沟槽内之步骤包括以含有一具有前述预定导电型式之掺杂质之聚矽充填前述第二沟槽并容许前述掺杂质由前述聚矽处扩散至前述第二沟槽之侧壁处。26﹒如申请专利范围第22项之方法,其中前述形成前述集极区之步骤包含形成一第二沟槽并沈积一具有前述预定导电型式之掺杂质至前述沟槽内。27﹒如申请专利范围第26项之方法,其中前述将前述挖杂质沈积至前述第二沟槽内之步骤包括以含有一具有前述预定导电型式之挖杂质之聚矽充填前述第二沟槽并容许前述杂质由前述骤矽处扩散至前述第二沟槽之侧壁处。28﹒如申请专利范围第23项之方法,其中前述形成前述集极区之步骤包含形成一第二沟槽并沈体具有前述预定导电型式之掺杂质至前述沟槽内。29﹒如申请专利范围第28项之方法,其中前述将前述掺杂质沈积至前述第二沟槽内之步骤包括以含有一具有前述预定导电型式之掺杂质之聚矽充填前述第二沟槽并容许前述掺杂质由前述聚矽处扩散至前述第二沟槽之侧壁处。图示简单说明图1至图7系示意图其显示装置依据本发明之程序流程中之不同阶段而构成以及图7a系显示最终装置之横截面图而图7b系顶视图。 |
