| 摘要 |
【課題】トレンチゲートの底部における電界集中を緩和する構造をより簡易に形成し、かつ、ゲート閾値（Ｖｔｈ）の低下又はばらつきを防ぐ半導体装置を提供する。【解決手段】ｎ＋半導体基板１０と、半導体基板の上方に設けられ、一部にｎ−型の第１半導体領域１２を有するｐ−型の第２半導体領域２０と、第２半導体領域上に設けられ、第２半導体領域よりも高い不純物濃度を有するｐ型の第３半導体領域３０と、第３半導体領域を貫通しており、第１半導体領域上に設けられているゲートトレンチ４０とを備える。ゲートトレンチは、ゲートトレンチの側壁４２および底部４４に設けられたゲート絶縁膜４７と、ゲート絶縁膜に接して設けられたゲート電極４８とを有する。【選択図】図２ |
