| 主权项 |
1.一种二轴配向薄膜,由聚氧(化)甲烯( polyoxymethylene)聚合物所形成,其主 键之主要成份实之质上由氧甲烯基-( CH2-0)-之重复单位所组成,让薄膜 特征为,当其在高于其熔点以上之温度下 再熔融及该熔融物在140℃下被等热地再 结晶化成一薄膜形式之固体时,用一偏光 显微镜透过交叉偏光镜测定时,在所得薄 膜表面之聚氧甲烯小球体之数目每0.lmm 2面积之薄膜表面至少为50者。2.如申请专利范围 第l项之二轴向聚氧甲 烯薄膜,其中,聚氧甲烯聚合物(其主链 之主要成份实质上由氧甲烯其-(CH2-O )-之重复单位所组成) 系由含一线式聚氧 甲烯聚合物与一分支聚氧甲烯聚合物之混 合物所组成,且分支聚氧甲烯之且,基于 100重量份线式聚氧甲烯聚合物,至少为 0.01重且份者。3.如申请专利范围第2项之二轴配向 聚氧甲 烯薄膜,其中,线式聚氧甲烯为一种均聚 物一共聚物混合物,且共聚物之量基于 100重量份均聚物至少为0.1重量份者。4.如申请专 利范围第2项之二轴配向聚氧甲 烯薄膜,其中,分支聚氧甲烯为一出三恶 烷与至少一可与三恶烷共聚合之多官能反 应化合物所构成之共聚物,或一由三恶烷 、至少一可与三恶烷共聚合之多官能反应 化合物及至少一可与三恶烷共聚合之单官 能反应化合物之共聚物者。5.如申请专利范围第2 项之二轴配向聚氧甲 烯薄膜,其中,分支聚氧甲烯为一由三恶 烷、环状醚及二官能反应化合物所构成之 共聚物者。6.如申请专利范围第1项之二轴配向聚 氧甲 烯薄膜,其为一种磁性记录媒介用之基膜 者。7.如申请专利范围第2项之二轴配向聚氧甲 烯薄膜,其为一种磁性记录媒介用之基膜 者。8.一种二轴配向聚氧甲烯薄膜之制法,其包 含一熔融处理并以一方向固化最初片状物 或薄膜之前阶段拉伸,及一以垂直于前阶 段拉伸方向之方向之片状物或薄膜之后阶 段拉伸,同时在藉使用一卡差扫瞄卡计所 描绘出之其结晶熔融曲线之尖峰下,保持 片状物或薄膜之温度在低于温度30℃至高 于最初片状物组成物之温度5℃范围内者 。9.如申请专利范围第8项之二轴配向聚氧甲 烯薄膜之制法,该制法包含: (i) 将最初片状物以机械方向辊压以提供 一可满足下面条件之片状物厚度之百分 比下降。 其中,t0为琨压前最初片状物之厚度而 t为辊压后最初片状物之厚度。 (ii)以横向方向在拉伸比率至少为5:1之 前阶段拉伸,及 (iii) 以机械方向在拉伸比率至少为5( 1-)之后阶段拉伸者。10.如申请专利范围第8项之 5轴配向聚氧 甲烯薄膜之制法,其中,前阶段拉伸及后 阶段拉伸系在藉使用一示差扫瞄卡计所描 绘出之其结晶熔融曲线之尖峰下,及在温 度自低于温度25℃至高于最初片状物组成 物之温度5℃之范围内实施者。11.如申请专利范围 第9项之二轴配向聚氧 甲烯薄膜之制法,其中,前阶段拉伸及后 阶段拉伸系在藉使用一示差扫瞄卡计所描 绘出之其结晶熔融曲线之尖峰下,及在温度 自低于25C至高于最初片状物组成物之温 度5℃范围内实施者。图示简单说明: 第l图为一显微照像,显示由再熔融 本发明薄膜及再结晶化该熔融物所产生之 薄膜表面之晶体。 第2图为一显微照像,显示同样地由 比较用之薄膜所产生之薄膜表面之晶体。 第3图为一图表,显示表面粗糙度与 小球体数目之关系。 第4图为一用来处理本发明薄膜之机 器之概略图。 |
