Le dispositif décrit comprend un substrat et un élément capteur/chauffant métallisé (10) ayant un coefficient thermique de résistance d'au moins 2000 parties par million. Des procédés de fabrication de tels dispositifs sont également décrits.
申请公布号
WO9003650(A1)
申请公布日期
1990.04.05
申请号
WO1989EP01081
申请日期
1989.09.18
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
YANG, KUANG, LUNG;GUTIERREZ, DAVID;GIMPELSON, GEORG, EDWARD
