発光ダイオードを含む光電デバイス

摘要

本発明は、第１導電型に任意でドープされた半導体基板（１０）と、前記基板に電気的に接続されており、第１導電型に、又は第１導電型とは逆の第２導電型に、前記基板よりも高濃度にドープされた第１半導体領域（１４）と、前記第１半導体領域に支持されており、線状、円錐状、又は円錐台形状の半導体要素を備える第１発光ダイオードの第１群（Ａ）と、前記第１半導体領域に接している導電性部分（３６）とを備える光電デバイス（５）に関する。