发明名称 光罩式线网等之防尘盖
摘要 本发明系有关用于制造半导体积体电路之光罩或网其防尘护膜,其乃一种透明的薄覆膜,安置在光罩或线网受质表面稍许距离之上,以保护受质表面以及防尘之用。此透明薄膜系由下式之聚乙烯基缩醛所构成:□ (Ⅰ)此处的R是氢原子,-CH3,-C2H5或-CnHmF2n-m+1,n是 1 至 8 的整数,m是 0 至 2 n的整数,x是 5 至 40 的数值,y是 0 至 10 的数值,z 1是0至__的数值,z 2 是__至__的数值,其中的醋酸乙烯酯含量至多为10莫耳百分率,缩醛含量至少为60重量百分比。
申请公布号 TW133502 申请公布日期 1990.05.01
申请号 TW077102978 申请日期 1988.05.05
申请人 曹股份有限公司 发明人 大岛宪昭;大野秀树;内仓昌树
分类号 H01L21/18 主分类号 H01L21/18
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.制造半导体积体电路时所有的光罩或线网其防尘护膜,其乃一种透明的薄覆膜,安置在光罩或线网受质表面积许距离之上,以保护受质表面及防尘之用;此透明薄膜系由下式之聚乙烯基缩醛所构成;此处R是氢原子,-CH3,-C2H5或-CHnHmF2n-m+1,为1至8的整数,m为O至2n的整数,x为5至40的数値,y为0至10的数値,z1为0为90/2之数値,22为3/2至95/2之数値,其中的醋酸乙烯酯含量至多为10莫耳百分率,缩醛含量至少为60莫耳百分率。2﹒如申请专利范围第1.项之防尘护膜,其中的R定是-CH3或-C2H5,且Z1为0。3.如申请专利范围第1.项之防尘护膜,其中的Z1与Z2之比例至多为20:1。4﹒如申请专利范围第1.项之防尘护膜,其透明薄覆膜之厚度为0.5至10微米之间。5﹒如申请专利范围第1.项之防尘护膜,其武I的聚乙烯基缩醛之平均分子量在10,000至2000,000范围内。
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