| 发明名称 | 离子注入掺杂区域平面显示方法 | ||
| 摘要 | 本发明是对半导体器件、电路芯片表面进行处理分析的重要方法。该方法是针对离子注入掺杂后，在芯片上不留任何痕迹这一困难而提出来的。它包括样品制备、显示液配方及操作程序三方面内容。该方法显示的成功率达100％。具有适用范围广、对环境温度要求不高、无需添置专用显示设备，能同时显示图形与掺杂区深度等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1008033B | 申请公布日期 | 1990.05.16 |
| 申请号 | CN88101821.X | 申请日期 | 1988.03.30 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴苏华 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/30;H01L21/66;H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 复旦大学专利事务所 | 代理人 | 王福新;滕怀流 |
| 主权项 | 1.离子注入掺杂区域平面显示方法，其特征在于，所用显示液需由二次配制而成：(1)取下述比例的三氧化铬与水，配成贮存溶液：CrO3∶H2O＝0.4～0.6(克/毫升)(2)取0.5～2单位体积贮存液与1单位体积浓度为40％的氢氟酸(HF)，配成显示溶液。 | ||
| 地址 | 上海市邯郸路220号 | ||