| 主权项 |
1.一种高一Tc超导电性氧化物薄膜的制法,此方法系使用构成超导性氧化物之金属元素的蒸气源和戴气体与氧的化学蒸气淀积技术,此方法系包括藉由化学蒸气淀积法,于低于1000℃之温度下由至少包括钡、钇和铜的元素之蒸气源于一基板上形成一陶瓷薄膜,其中该蒸气源系各别之有机复合物所组成者。2.如申请专利范围第1项所请之方法,其中,该构成超导电性氧化物之金属元素的蒸气源系以-二酮错合物的形态存在。3.如申请专利范围第1项所请之方法,其中该超导电性氧化物之各元素的组成比率系藉控制每一蒸气源之戴气体的流速和温度来调整之。4.如申请专利范第1项所请之方法,在该基板上所形成之氧化物薄膜的热处理系在原淀积室内连续的进行。5.一种制造高一Tc超导电性氧化物薄膜的方法,此方法系使用构成超导电性氧化物之金属元素的蒸发源和戴气体与氧的化学蒸气淀积技术,此方法系包括在高于800℃的温度下于一基质上形成Ba2YCu3O7-y化合学组成的定向氧化物薄膜。6.如申请专利范围第5项所请之方法,其中所形成之薄膜在[0,0,1]方向上具有结晶取向。7.如申请专利范围第5项所请之方法,其中该基板系由多晶所构成者。8.如申请专利范围第5项所请之方法,其中该基板系由单晶所构成者。9.如申请专利范围第5项和第8项所请之方法,其中化学组成为Ba2YCu3O7-y之该薄膜系在温度低于1000℃及低压下的化学蒸气淀积条件下以磊晶成长法在一单晶基板上所形成者。10.如申请专利范围第9项所请之方法,其中该基板是由 酸锶的单结晶所构成且系被加热到800到950℃的温度。图示简单说明:图1是可用以达成本发明之方法之装置侧视图的图形说明。图2是二氧化锆基板的X-射线光谱图。图3是表示淀积于二氧化锆基板上之超导性氧化薄膜的X-射线光谱图。图4是先前技艺之高Tc超导电性氧化物的X-射线光谱图。图5是对于本发明例子中所得到之超导电性氧化物薄膜行分析电子显微镜分析时所获得的绕射分析图。图6是由绕结所制备之习知高Tc超导电性氧化物行分析电子显微镜分析时所获得的绕射分析图。图7是本发明之另一个实例中所获得之超导电性氧化物薄膜的X-射线光谱图。第8图本发明之另一实例中所获得之相关超导电性氧化物膜的Y-射线光谱图。图9是本发明之再一个实例所获得之相关超导电性氧化物薄膜的Y-射线光谱图。图10和12系显示于本发明之其他实例中淀积于基板上之超导电性氧化物薄膜的X射线光谱图。图11是颢示在本发明之一实施例中在基板上形成之超导电性氧化物薄膜之电阻系数和其温度间之关系的座标图。 |
