| 主权项 |
1.一种半导体装置,系由,形成在矽基板上之第1绝缘层,形成在上述第1绝缘层上之薄膜熔线,形成在上述第1绝缘层上及上述薄膜熔线上,被覆上述薄膜熔线之第2绝缘层,以及,形成上述在上述第2绝缘层上,对应上述薄膜熔线之图型形成有开口部之第3绝缘层,所构成。2.如申请专利范围第l项所述之半导体装置,上述薄膜熔线以高融点金属为主要成分。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,上述高融点金属为钼(Mo)。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之半导体装置,上述第l绝缘层由氧化矽所成,上述第2绝缘层由氮化矽所成,上述第3绝缘层由氧化矽所成。图示简单说明:第1图系表示本发明实施例之制造过程剖面图,第2图系表示本发明实施例之平面图,第3图系表示传统例子之剖面图。 |
