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Ein Beugungsgitter als hochwertiges Beugungselement in Spektrographen oder als kostengünstige Vorlage zum Anfertigen galvanotechnisch erzeugter Prägematrizen ist in eine Oberfläche (2) eines Wafers (1), der eine auszeichnende <hkl> eines anisotrop wirkenden alkalischen Aetzmittels eingeätzt. Weist das Beugungsgitter ein scharfkantiges asymmetrisches Reliefprofil (4) auf, sind für optische Beugungsgitter Plateaubreiten (7) von Graten (6) kleiner als 100 nm notwendig. Durch Ionenimplantation erzeugte stark p-dotierte Zonen (3) und Gebiete ausserhalb von Gitterflächen der Oberfläche (2) bilden eine Aetzmaske. Die Ionenimplantation erfolgt durch eine Implantiermaske, die aus einer Photoresistschicht auf dem Wafer (1) hergestellt wird. Der Photoresist wird in der Gitterfläche zuerst mit einem Streifenmuster mit der vorbestimmten Gitterfrequenz belichtet. Der entwickelte Photoresist weist ein wellenartiges Profil auf und wird mit Metall unter einem vorbestimmten Einfallswinkel einseitig bedampft. Mittels des reaktiven Ionenätzens wird in den zu dotierenden Zonen (3) und in den Gebieten ausserhalb der Gitterflächen der Photoresist bis auf die Oberfläche (2) abgetragen. Nach dem Dotieren mit z. B. Borionen wird die Implantiermaske entfernt, und in der Oberfläche (2) verbleibt die Aetzmaske, die gegen Unterätzen besonders resistent ist.
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