发明名称 包含膦氧化物基质和金属掺杂剂的n‑掺杂的半导体材料
摘要 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
申请公布号 CN106062986A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201480070560.2 申请日期 2014.12.23
申请人 诺瓦尔德股份有限公司 发明人 欧姆莱恩·法德尔;卡斯滕·罗特;扬·比尔恩施托克;安斯加尔·维尔纳;凯·吉尔格;延斯·安格曼;迈克·策尔纳;弗朗西斯科·布卢姆;托马斯·罗泽诺;托比亚斯·坎茨勒;托马斯·卡里兹;乌尔里希·登克尔
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 金海霞;杨青
主权项 一种电掺杂的半导体材料,其包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物,其中所述金属元素选自在它们的氧化值II下形成至少一种稳定化合物的元素,并且所述电子传输基质化合物当在相同条件下通过循环伏安法测量时,具有比三(2‑苯并[d]噻唑‑2‑基)苯氧基铝低,优选地比9,9',10,10'‑四苯基‑2,2'‑联蒽或2,9‑二([1,1'‑联苯]‑4‑基)‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲啰啉低,更优选地比2,4,7,9‑四苯基‑1,10‑菲啰啉低,甚至更优选地比9,10‑二(萘‑2‑基)‑2‑苯基蒽低,最优选地比2,9‑双(2‑甲氧基苯基)‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲啰啉低,仍然优选地比9,9'‑螺二[芴]‑2,7‑二基双(二苯基膦氧化物)低,并且比N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'‑八苯基‑9,9'‑螺二[芴]‑2,2',7,7'‑四胺高,优选地比苯并菲高,更优选地比N4,N4'‑二(萘‑1‑基)‑N4,N4'‑二苯基‑[1,1'‑联苯]‑4,4'‑二胺高,甚至更优选地比4,4'‑二(9H‑咔唑‑9‑基)‑1,1'‑联苯高,最优选地比双(4‑(9H‑咔唑‑9‑基)苯基)(苯基)膦氧化物高,较少但仍然优选地比3‑([1,1'‑联苯]‑4‑基)‑5‑(4‑(叔丁基)苯基)‑4‑苯基‑4H‑1,2,4‑三唑高,甚至更少但仍然优选地比芘高的还原电势。
地址 德国德累斯顿