| 主权项 |
1﹒一种制造半导体装置之方法,包含有:第一步骤是在一第一电传导层上形成一绝缘薄膜,然后在绝缘薄膜内形成一接触电洞,用来将第一电传导层之一部份曝露出来第二步骤是在接触电洞之曝露部份形成一活化表面;第三步骤是供应一含有杂质成份之气体来形成一杂质吸附层膜在活化表面上;和第四步骤则用一第二电传导层来填满此接触电洞,使第一和第二电传导层之间经由此接触电洞以形成电的接触。2﹒依据申请专利范围第1项之方法;其中,第一电传导层是形成一杂质扩散区域于一半导体基体内。3﹒依据申请再利范围第2项之方法;包括将合于杂质吸附薄膜内之杂质成份在第四步骤之前经由加热以固相惨鸡之步骤进入杂质扩散区域。4﹒依据申请专利范围第2项之方法;包括将合于杂质吸附薄膜内之杂质成份于第四步骤之前经由加整以固相掺杂进入杂质扩散区域。5﹒依据申请专利范围第2项之方法;其中,第三步骤包括使用一含有一半导体成份和一杂质成份之混合气体作用在活化表面上以形成一含有半导体成份和杂质成份之吸附薄膜。6﹒依据申请专利范围第2项之方法;其中,第二电传导层是由一具有高熔点温度金属之矽化物形成。7﹒依据申请专利范围第6项之方法:包括从第二电传导层表面除去一隋性被覆物以曝露出一活化表层之步骤,一含有杂质成份气体作用在活化表面以形成一杂质吸附薄膜之步骤,以及用构成杂质吸附薄膜之杂质来加热之扩散步骤。8﹒一种制造半导体装置之方法,包括有:第一步骤是在一第一电传导层上形成一绝缘薄膜,然后于绝缘薄膜里形成一接触电洞,以曝露于接触电洞之第一电传导层之一部份;第二步骤是在接触电洞里之曝露部份形成一活化表面;第三步骤是将含有杂质成份之气体作用在活化表面,以形成一杂质吸附薄膜,然后间断地引用另一气体以形成一磊晶薄膜于杂质吸附薄膜上;第四步骤从杂质吸附薄膜和磊晶薄膜,用加热以形成一杂质构杂层:第五步骤是用第二电传导层填满接触电洞而在第一和第二电传导层之间,经由接触电洞来形成电接触。9﹒依据申请专利范围第8项之方法;其中,第二步骤包含前述另一气体用断地作用到活化表面,以形成一磊晶薄膜,以及然后引用前述合有一杂质成份之气体来形成一杂质吸附薄膜于磊晶薄膜上。10﹒一种制造半导体装置之方法;包括:第一步骤是形成一绝缘薄膜在第一电传导层上,然后于绝缘薄膜内形成一接触电洞以曝露第一电传导层的一部份;第二步骤是于接触电洞内曝露部份形成一活化表面;第三步骤是将含有杂质成份之气体作用在活化表面,以形成一杂质吸附薄膜,然后间断地引用另一气体以形成一磊晶薄膜在杂质吸附薄膜上来提供一双层;第四步骤则是重复地实施第三步骤以此双层填满接触电洞而同时置放双层于绝缘薄膜上;以及第五步骤则在第一和第二电传导层之间利用加热有效的将双层转换成一杂质掺杂层,经由接触电洞以形成电接触。11﹒一种扩散有高密度杂质的低电阻率区域之半导体装置,包含有:一单晶薄膜形成在此低电阻率区域和掺杂具有如同扩散在低电阻率区域之相同传导系数形成的高密度杂质;和形成一金属电极以作为一导线图案,在导线图案和低电阻率区域之间经由单晶薄薄膜以提供电接触。图示简单说明图1(a)至1(c) 均为剖视图。图2(a) 至2(c)均为剖视图。图3(a)至3(d) ,图4(a)至4(d),图5(a)至5(d) ,图6(a)至6(c)图7(a)至7(d) 和图8(a) 至8(c)均为剖视图。图9是一个结构剖视图显示出发明之接触电洞结构之一具体实施例。图10是一剖视图显示出于习用半导体装置之一低电阻区域和一金属区域。图11显示出沿深度方向,半导体装置低电阻区域之一载子密度图。 |
