| 发明名称 |
METHOD OF FORMING GERMANIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GERMANIDE |
| 摘要 |
본 발명은 접촉저항을 낮출 수 있는 저마나이드 형성 방법 및 저마나이드를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 저마나이드 형성 방법은 게르마늄(Ge) 기판 상에 안티모니 층을 증착하는 단계; 상기 안티모니 층 상에 금속 층을 증착하는 단계; 및 상기 금속 층이 증착된 기판을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160125761(A) |
申请公布日期 |
2016.11.01 |
| 申请号 |
KR20150056635 |
申请日期 |
2015.04.22 |
| 申请人 |
THE INDUSTRY & ACADEMIC COOPERATION IN CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY (IAC) |
发明人 |
LEE, HI DEOK;KIM, JE YOUNG;LEE MENG |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/28;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
