| 摘要 |
본 발명은 스퍼터링법에 의해 산화물 반도체 박막으로 한 경우에, 낮은 캐리어 농도, 높은 캐리어 이동도를 얻을 수 있는 산화물 소결체, 및 그것을 이용한 스퍼터링용 타겟을 제공한다. 그 산화물 소결체는, 인듐, 갈륨 및 아연을 산화물로서 함유한다. 갈륨의 함유량이 Ga/(In+Ga) 원자수비로 0.20 이상 0.49 이하이고 아연의 함유량이 Zn/(In+Ga+Zn) 원자수비로 0.0001 이상 0.08 미만이다. 이 산화물 소결체를 스퍼터링용 타겟으로서 형성한 비정질의 산화물 반도체 박막은, 캐리어 농도 4.0×10㎝이하로, 캐리어 이동도 10 ㎠/V·s 이상을 얻을 수 있다. |
