| 主权项 |
1﹒一种产制至少一种多氟含氢乙烷化合物之方法,该化合物之化学式为CF3CHXY,其中之X及Y为氯或氟,所述之方法包括将至少一种该乙烷先驱物于摄氏5至200度之温度范围与一卤素交换剂接触生成一含有至少一种氟含且大范围与一卤素交换剂触生成一含有至少一种氟含量大于起始先驱物之CF3CHXY的反应混合物,该先驱物之化学式为CCl3─xFxCHC12,其中X为O至3或CF3CHCIF,而该卤素交换剂主要由为SbF5─yCIy所组成,其中之Y値为0至1,所得之反应混合物至少含有一种CF3CHXY化合物;其中之X及Y则如前述,并且无全卤化副产物之生成,如是于反应过程中a)当CCl3cHCl,R质上存在时,将反应温度控制于摄氏30度以下,直到CCI3CHCI2几乎完全转变为CCl2FCHCI2为止b)当CCCl2FCHCI2实质上存在时,将反应温度控制于摄氏60度以下直到CCl2FCHCI2几乎完全转变为CClF2CHCI2为止;c)于CClF2CHCI2或CF3CHCl2实质上存在时,SbF5─ycly之Y値须小于或等于d)当CF3CHC1F实质上存在时,Y値则须小于或等于0﹒5;及e)每莫耳先驱物对应之sbF5─yCly之莫耳数n,Y値及代表斯之先驱物中之氯基之个数之P値,所组成之关系式为(5一y)一(P/n);而于整个接触过程中该关系式所得之値至少须为3且当反应温度大于摄氏150度以上时其値须大于4,而后出反应混合物中,分离出至少一种具通式CF3CHXY之多氟含氢乙烷类化合物;其中之每个X及Y可为氯或氟。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其系产制CF3CHCI2,该方法包含在约80℃至约120℃之有效反应温度下,将CClF2CHCI2与至少0﹒5莫耳之SbF5─yCly/每莫耳CCIF2CHC12接触以生成含CF3CHCI2且实际上无全卤化副产物之反应混合物,其中Y为1或1以下之値,且在整个接触过程中(S一y)一(1/n)之关系式至少须为3;其中每莫耳CCIF2CHCI2对应之Sbr5─yCly之莫耳数n为约0﹒7到约5;而后将CF3CHCl2由反应混合物中分离出来。3﹒如申请利范围第1项之方法,其系产制CF3CHCl2及CF,CHCIF中至少一种,该方法含在约60℃到约150℃之有效反应温度下将CClF2CHCI2与约O﹒5莫耳之SbF5─yCly/每莫耳CCIF2CHCl2接仿似生成含有CF3CHCI2及CF3CHCIF之至少一种实质上不含金卤化副产物之反应混合物,其中y为1或1以下之値且在整个接触过程中,,(5一y)一(p/n)之关系式至少为3,其中n为每莫耳CCIF2CHCI2对应之SbF5─yCly之莫耳故且当产制CF3CHCI2时P値约为1而产制CF3CHCIF时P値约2,而后出反应混合物中分离出CF3CHCl2及CF3CHCIF其中之至少一种化合物。4﹒如申请专利范围第1项之方法,其保产制CF3CHCIF,该方法包含在约70℃到约150℃之有效反应温度下将CF3CHCl2与至少约0﹒5莫耳SbF5─yCly/每莫耳CF3CHCl2接触以生成含CF3CHCIF且实质上无全卤化副产物之反应混合物,其中y小于1且(5一y)一(1/n)之关系式至少为3﹒5。其中之n为每莫耳CF3CHCI2对应之SbF5─yCly之莫耳数,而后出反应混合物中将CF3CHClF分离出来。5﹒如申请专利范围第1项之方法,其保产制CF3CHF2,该方法包含在约150℃到约200℃之有效反应温度下将CF3CHCIF与至少约1莫耳比率之SbF5─yClr接仍以生成含CF3CHF2且实质上无全卤化副产物之反应混合物,其中y约O﹒5或更少而该SbF5─yCly才莫耳比率n是使(5一y)一(1/n)之关系式至少约等于4,而后从反应混合物中分离CF3CHF2。 |
