| 主权项 |
1﹒一种复合聚酯薄膜,特别适合于作为磁性涂覆物之基底,其系由无有机粒子之定向的聚酯薄膜所组成并且有平滑的表面且在一或二表面涂上欲赋予良好滑动及良好耐磨蚀性之涂覆物,该涂覆物由一改质的聚合物所组成,其制备法为在水可分散聚酯(衍生自一二羧酸系芳族酸及一脂扶二醇)之存在下由一丙烯酸单体之合水相自由基聚合作用而得,且该涂覆物包含多个下式之磺醯氧基:(一SO3)nM其中:一n为1或2,且一M代表氢原子,一硷或硷土金属阳离子,一铵阳离子或一季铵阳离子。2﹒根据申请专利范围第1项之复合聚酯薄膜,其中定向的聚酯基底薄膜具有粗糙度Ra小于或等于0﹒O1um。3﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中定向的聚酯基底薄膜系由含80至100莫耳%单元(衍生自至少一二羧矽系芳族酸及衍生自乙二醇)之聚合物所组成。4﹒根据申请专利范围第3项之复合聚酯薄膜,其中定向的聚酯基底薄膜系由包含80至100莫耳%对酸乙二醇酯或二羧酸乙二醇酯单元之聚合物所组成。5﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中定向的聚酯薄膜具有厚度5至4Oumo6﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中所使用之水可分散聚酯为包含多个衍生自至少两个羧酸(其中之一每分予包含一磺醯基)之单元及包含多个衍生自至少一脂族二醇之单元的共聚酯。7﹒根据申请专利范围第6项之复合聚酯薄膜,其中衍生自包合磺醯氧基之二羧酸之单元数目为每100个衍生自二羧酸之单元从4至30个。8﹒根据申请专利范围第6项之复合聚酯薄膜,其中水可分散聚酯为包含多个衍生自一未磺化二羧酸(其为对酸,异酸或酸)之单元的共聚酯。9﹒根据申请专利范围第8项之复合聚酯薄膜,其中水可分散聚酯为包含多个衍生自对一及异酸之单元的共聚酯。10﹒根据申请专利范围第9项之复合聚酯薄膜,其中水可分散聚酯为其中对酸酯单元数目占对酸酯单元及异酸酯单元总数之从20至99%的共聚酯。11﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中中可分散聚酯包含多个衍生自5一硫一异酸之单元。12﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中水可分散聚酯包含多个衍生自一脂族二醇(其为乙二醇)或式HO一(CH2一CH2一0一)nH(其中n为从2至10的整数)之其低聚物之单元。13﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中丙烯酸单位具有下式:CH2=C一Y其中:一R代表氢原子或低磺烷基,未经取代或经羟基取代;且一Y代表式一COOR1之羟基羰基,烷基羧基,其中R为从1至20个碳原子之烷基自由基,其为线性或分枝且未经取代或经羟基,取代,;或一CON(R2R3)之醯胺,其中R2BR3可为相同或不同,各自代表从1至20个碳原子之线性或分枝的烷基。14﹒根据申请专利范围第13项之复合聚酯薄膜,其中丙烯酸单体为丙烯酸甲酯或甲其丙烯酸酯,乙基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯,丙烯酸或甲基丙烯酸,丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺。15﹒根据申请专利范围第13项之复合聚酯薄膜,其中丙烯酸单体与少量的非丙烯酸系乙烯单体组合。16﹒根据申请专范围第13项之复合聚酯薄膜,其中丙烯酸单体与一支联单体组合。17﹒根据申请专利范围第16项之复合聚酯污膜,其中交联单体之量占高达丙烯酸单体之5莫耳%。18﹒根据申请专利范围第16项之复合聚酯薄膜,其中交联单体为聚乙烯系单体。19﹒根据申请专利范围第16项之复合聚酯薄膜,其中交联单体为羟基烷基(甲基)丙烯醯胺。20﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中改质的聚合物包含0﹒1至15重量%一外部交联剂,其为酚一甲醛树脂或胺一甲醛树脂。21﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中改质的聚合物之丙烯酸部分展现了玻璃化转变温在0至100℃之间。22﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中改质的聚合物包含0至8重量%实质上为球形的聚合填料(平均直径为0﹒05至0﹒2um)23﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜,其中改质的聚合物涂覆物具有厚度在0﹒O5至1um之间。23﹒根据申请专利范围第1或2项之复合聚酯薄膜的方法,该方法包括以一改质聚合物之含水组合物涂覆一定向的聚酯基底薄膜之一或二表面。25﹒根据申请专利范围第24项之方法,其中所使用之改质的聚合物为含水分散液的形式。26﹒根据申请专利范围第24项之方法,其中所使用之改质的聚合物为水溶液的形式,其制备法为用硷中和存在于含水分散液之改质聚合物中之自由态羧酸基。27﹒根据申请专利范围第24项之方法,其中定向聚酯基底薄膜之涂覆系在任何拉伸之前或在基底薄膜二拉伸操作之间进行。28﹒一种磁性记录碟或带,其包括一定向的酯薄膜,磁性涂覆物及在其一或二面上赋予良好滑动及良好耐磨蚀性之涂体物,该涂覆物由改质的聚合物所组成,而该改质的聚合物之制法为在衍生自一二羧酸系芳族酸及一脂族二醇之水可分散聚酯的存在下由一丙烯酸单体之含水相自由基聚合作用而得,并包含多个下式之磺醯氧基:其中:一n为1或2,且一M代表氢原子,硷或硷土金属阳离子,铵阳离子或季铵阳离子。29﹒根据申请专利范围第28项之磁性记录碟或带,其中由蒸发或离子金属化所淀积的磁性层具有厚度0﹒01至O﹒2um。 |
