| 主权项 |
1.一种热交换器用之铜散热片物料,其中包括:具有一对外表面之底层之Cu或Cu合金长条;包括Cu及Zn提供于底材至少一外表面时之内侧扩散层;及提供于内侧扩散层之外表面侧上表侧扩散层及包括Cu,Zn及具有扩散进入Cu之系数比Zn更低之元素。2.如申请专利范围第1项之热交换器用之铜散热片物料,其中具有扩散进入Cu之系数上kZn更低之元素系选自Nl,Al,泓,及Co中之任一种。3.如申请专利范围第2项之热交换器用之铜散热片物料,其中该Zn-Ni合金含量为6至18℃。4.如申请专利范围第1项之热交换器用之铜散热片物料,其中表侧扩散层表面之Zn浓度为10至42℃。5.一种热交换器用之铜散热片物料,其中包括:具有一对外表面之底层之Cu或Cu合金长条;于长条之至少一外表面上之Zn-Nl合金被膜,其中长条厚度A与Zn-Nl合金总厚度B之关系系属于如下关系式之范围B/A-003-6146.一种生产热交换器用之铜散热片物料之方法,该方法包括制备Cu或Cu合金长条之第1步骤;于该Cu或Cu合金长条表面上生成合金膜之第2步骤,该膜包括具有扩散进入Cu之系数比Zn更低之元素及Zn;及进行扩散处理之第3步骤,以便于表面上生成内侧扩散层,其中包括Cu及纭与内侧扩散层之表面侧生成表侧扩散层,其中包括Cu,Zn及真有扩散进入Cu之系数比Zn更低之元素,该扩散处理系于加热下进行者。7.如申请专利范围第6项之生成热交换器用铜散热片物料之方法,其中具有扩散进入Cu之系数比Zn更低之元素系选自Ni,Al,Sn及Co中之任一种。8.如申请专利范围第7项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,其中于第2步骤中Cu或Cu合金长条表面上藉电镀覆盖以Zn-Ni合金,其中Ni含量为6至18℃,其第2及第3步骤系以依次进行。9.如申请专利范围第6项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,其中该第3步骤之操作使得扩散处理后,于表面侧扩散层表面之Zn浓度变成10至42℃。10.如申请专利范围第8项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,其中该第2步骤之操作使得Cu或Cu合金长条厚度A与Zn-Ni合金厚度B间之关系变成于如下关系式之范围内B/A-每08-61411.如申请专利范围第1项之热交换器用之铜散热片物料,其中该Cu合金长条含有选自Mg,Zn,Sn,Cd,Ag,Nl,P,Z!,Cr,Pd及Al中之至少一种元素,其总量为行01至613wtM,及具有导电性不低于g0%IACS。12.如申请专利范圈第11项之热交换器用之铜散热片物料,其中具有扩散进入Cu之系数比Zn更低之元素系选自Ni,AI,Sn及Co中之任一种。13.如申请专利范围第6项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,其中于第1步骤中,Cu合金长条含有选自Mg,Zn,Sn,Cd,Ag,ni,P,Zr,Cr,Pd及Al中之至少一种元素,其稳量为C01至618砰t%,及具有导电性不低于铂%抗CS。14.如申请专利范围第18项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,其中具有扩散进入Cu之系数比Zn更低之元素系选自Ni,Al,Sn及Co中之任一种。15.如申请专利范围第6项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,又包括;将其上方具有内侧扩散层及表侧扩散层之该长条厚度缩小之第4步骤,所述第4步骤系于第3步骤后进行者。16.如申请专利范围第15项之生成热交换器用之铜散热片物料之方法,其中该第4步骤系藉滚轧进行者。 |
