| 主权项 |
1.一种乾膜,其特征为,所指的乾膜含有:一层可挠的覆盖片以及一层在所指的覆盖片上的光可成像组合物层,所指的光可成像组合物之固体含有30至80重量百分率的含有离基之聚合物,15至65重量百分率的能受到使所指的聚合物交鄱的光化学反应之单体或多种单体,以及0.0004至5重量百分率的光起始剂,改良之处含有使所指的含有2+或较高电荷的金属离子之光可成像组合物与不同的聚合物分子之濮基磁连,此桥连佯用使光可成像组合物层中的泠流睬低。2.如申请专利范围第1项所请乾膜,其中,金属离子是以在所指的光可成像组合物之0.0004至2重量百分率的量存在的。3.如申请专利范围第1项所请乾膜,其中所指的金属离子是加入至光可成像组合物(自该组合物形成该层)中的金属聋形物之残留物。4.如申请专利范围第3项所请乾膜,其中,所指的金属离子是由汐一二醯之金属螫形物所衍生的。5.如申请专利范围第1项所请乾膜,其中,顶部涂湮物是在所指的可挠之覆盖片和所指的光可成像组合物之间插入,所指的顶部涂湮物相对于它的对所指的覆盖片之黏着性而言是选择性地对光可成像组合物黏着。6.如申请专利范围第1项所请乾膜,其中,所指的金属螫形物之金属种类是选自鈇,铝,锌和错。7.一种光可成像组合物,其特征为,其之固体含有30至80重量百分率的含有姥基之聚合物,15至16重量百分率的能受到使所指的聚合物交联的光化学反应之单体或多种单瞪,以及在0.005至5重量百分率之间的光起始剂,改良之处含有使所指的光可成像组合物含有0.05至2.0的相对于所指的固体的重量百分率之量的金属聋形物,所指的金属螫形物之金属具有2或更高的配位数,所指的金属聋形物是与所指的聚合物之姥基反应以释出具有2+或更高之电荷的金属离子来与二或多个聚合物分子的姥基矫连。8.如申请专利范围第7项所请光可成像组合物,其中所指的金属錾形物之金属是选自纹,铝,锌和错。9.如申请专利范围第7项所请光可成像组合物,其中,所指的有机化合物之金属螫形物是从由浮一铜亚胺类,汐一因酯类,丙二酸盐,醇化物类,硫醇盐类;磷酸盐类,次磷酸盐类,磷肝酸盐类,磷酸盐类,硫酸盐类,磺酸盐类,亚磺酸类,次碗酸盐类,矽酸盐类以及它们的混合物类所构成之电中选择的。10.如申请专利范围第9项所请光可成像组合物,其中,所指的金属蜇形物是公一二前的金属錾形物。11.如申请专利范围第7项所请光可成像组合物,其中,所指的光可成像组合物亦包括有熔剂,所指的光可成像组合物之固体对所指的熔剂之体积比例自2:1至1:5的范围内。12.一种使乾膜形成的方法,其特征为,所指的方法含有提供一个可挠的材料之湮盖片,提供一个光可成像组合物,其之固体含有30至80重量百分率之间的含有残基之聚合物,15至65重量百分率之间的能受到使所指的聚合物交联的光化学反应之单体或多种单体,以及0.005 至5重量百分率之间的光起始剂,金属螫形物在与所指的固体有关之0.05至2.0重量百分率,所指的金属聋形物之金属具有2或更高的配位数,所指的金属聋形物与所指的聚合物之残基反应以择出具有2+或更高之电荷的金属离子来与二或多个聚合物分子的残基矫连,所指的光可成像组合物并含有有机溶剂,所指的光可成像组合物之固体对所指熔剂之体积比例自2:1至1:5的范围内,使所指的光可成像组合物涂覆在所指的湮盖片之上,以及使所指的涂覆过之光可成像组合物乾燥以除去溶剂并因此在所指的覆盖片之上形成光可成玑组合物层。13.如申请专利范围第12项所请方法,其中,所指的方法包括有先将顶部涂覆物应用在颚盖片上并将所指的光可成像组合物涂覆到所指的顶部涂覆物上之步骤,所指的顶部涂覆物是由相对于它的对所指的覆盖片之黏着性而言对所指的光可成像组合物层是选挥性地黏着的材料所组成。 |
