包含背部气体输送管路的衬底基座模块及其制造方法

摘要

本发明涉及包含背部气体输送管路的衬底基座模块及其制造方法。半导体衬底处理装置包括：具有其中能处理半导体衬底的处理区域的真空室；与真空室流体连通的工艺气体源以供给工艺气体到真空室中；工艺气体通过其从工艺气体源供给到真空室的处理区域的喷头模块；和衬底基座模块。衬底基座模块包括：由陶瓷材料制成的台板，其具有构造成在处理期间支承半导体衬底的上表面；由陶瓷材料制成的杆，其具有支撑台板的上部杆凸缘；和由陶瓷材料制成的背部气体管路，其位于杆的内部。背部气体管路包括位于台板的下表面与上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，其中背部气体管路与台板的至少一个背部气体通道流体连通。

主权项

一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，其包括：真空室，其包括半导体衬底能在其中被处理的处理区域；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以供给工艺气体到所述真空室中；喷头模块，工艺气体从所述工艺气体源通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块，其包括：台板，其由陶瓷材料制成，所述台板具有构造成在处理期间在其上支承半导体衬底的上表面；杆，其由陶瓷材料制成，所述杆具有支撑所述台板的上部杆凸缘；和背部气体管路，其由陶瓷材料制成，位于所述杆的内部，所述背部气体管路包括位于所述台板的下表面与所述上部杆凸缘的上表面之间的上部气体管路凸缘，其中所述背部气体管路与所述台板的至少一个背部气体通道流体连通，并且所述背部气体管路被配置为供给背部气体至在处理期间要支撑在所述台板的上表面上的半导体衬底的下表面下方的区域。