化合物半导体元件之制法及化合物半导体元件

摘要

一种化合物半导体元件之制造方法，用来在基板上形成含有Ⅲ - Ｖ族化合物之混晶层，其特征是当利用蚀刻液对上述混晶层之一部份进行蚀刻时，至少要以保持光线不会接触在该蚀刻部之状态对该蚀刻部进行蚀刻。依照本发明之另一态样是指利用上述方法所制造之化合物半导体元件。

主权项

1. 一种化合物半导体元件之制造方法,用来在基板上形成含有III一V族化合物之混晶层,其特征为在将由砷化镑铝(AlGaAs),硫 (S) 掺杂砷化镓(GaAs)或磷化铟 (InP)之任何一种所构成之混晶层之一部分,利用含氟酸或溴化氢之一与过氧化氢蚀刻时,至少一边保持蚀刻部不照射光线之状熊下进行该蚀刻部之蚀刻。2. 如申请专利范围第l项之化合物半导体元件之制造方法,其中,在蚀刻前也应保持混晶层之蚀刻部不照射光线之状态。3. 一种化合物半导体元件,包含至少由砷化铮铝 (AIGaAs) ,硫 (S) 掺杂砷化镓 (GaAs)或磷化铟 (lnP) 之任何一种所构成之一部分保持不照到光线之状态,同时利用含氟酸或溴化氢之一与过氧化氢之蚀刻液进行蚀刻。