| 主权项 |
1. 种有机物去除装置,系为一种用以从在其一面上具有有机物质之基板 ( 2 ) 去除掉该有机物之有机质去除装置,系具备有 :一载台 ( 3 ),系用以载置在其一面上具有有机物质之基板 ( 2 ) ; 及一隔间板 ( 4 ) ,系被配置成在其与该载台 ( 3 ) 之间形成一特定间隔之间隙; 及一气体供给机构 ( 5 ) ,系用以将含臭氧之气体供给到该间隙中 ; 及一处理室 ( 1 ),系将该基板 ( 2 ),该载台 ( 3 ) 及该隔间板 ( 4 ) 设于其内部 ; 及一排气机构 ( 10 ) ,系用以将在于该间隙中因该含有臭氧之气体中的该臭氧与该有机物质之反应所生成之反应气体,从该基板 ( 2 ) 的外周边旁加以排出 ;其特征为 :该处理室 ( 1 ) 系朝向大气开放 ;且具有一终点检知机构 (8,8' ),系藉由检测存在于该间隙中之该反应气体之浓度,而检测出该有机物质之去除处理之终点者。2. 如申请专利范围第1项所述之有机物去除装置,其中,将一紫外线光源 ( 7 ) 隔着该隔间板 ( 4 ) 而设于该载台 ( 3 ) 之对面。3. 如申请专利范围第1项所述之有机物去除装置,其中,该终姑检知机构 ( 8,8') 系具有 :一用以检测该反应气体之浓度之气体浓度检测机构。4. 如申请专利范围第3项所述之有机物去除装置,其中,复具有一检测机构,系用以检测出该气体浓度检测机构测出的该反应气体中的CO2,气体浓度变成未满一特定値之状态。5. 如申请专利范围第3项所述之有机物去除装置,其中,具有 :第一配管 ( 6 ) ,系用以从该间隔中采取该反应气体并将该反应气体导送到该气体浓度检测机构。6. 如申请专利范围第5项所述之有机物去除装置,其中,在该第一配管 ( 6 ) 之中途设有第一气体流量调整机构 ( 9 ')。7. 如申请专利范围第1项所述之有机物去除装置,其中,该有机物质系为光电阻。8. 如申请专利范围第l项所述之有机物去除装置,其中,该处理室 ( 1 ) 为非气密性构造,且为该处理室 ( 1 ) 外的外部大气可混入之构造。9. 如申请专利范围第1项所述之有机物去除装置,其中,该载台 ( 3 ) 上设有一用以将该基板 ( 2 ) 加热之基板加热机构。10. 如申请专利范围第9项所述之有机物去除装置,其中,该基板加热机构系连接于一控制机构,系可控制该加热机构将基板( 2 ) 加热至150℃-300℃。11. 如申请专利范围第l项所述之有机物去除装置,其中,构成该隔间板( 4 )之材料为石英。12. 如中请专利范围第l项所述之有机物去除装置,其中,让紫外线光源 ( 7 ) 系为紫外线灯 (7 )。13. 如申请专利范围第5项所述之有机物去除装置,其中,让气体供给机构 ( 5 ) 具有第二配管( 5 )14. 如申请专利范围第13项所述之有机物去除装置,其中,让第二配管 ( 5 ) 的中途设有第二气体流量调整机构 ( 9 )。15. 如申请专利范围第1项所述之有机物去除装置,其中,让特定间隔系小于0.5mm。16. 一种半导体装置之制造方法,系属于一种先准备,一载台 ( 3 ) ,系用以载置在其一面上具有有机物质之基板 ( 2 ) ; 及一隔间板 ( 4 ),系被配置成在其与该载台 ( 3 ) 之间形成一特定间隔之间隙; 及一处理室 ( 1 ),系将该基板 ( 2 ),该载台 ( 3 ) 及该隔间板 ( 4 ) 设于其内部 ;并且具有 : 将含有臭氧之气体供给到该间隙中,并从该基板 ( 2 ) 外周近旁处将在于该间隙中因该含臭氧之气体中该臭氧与该有机物质之反应所产生之反应气体排出,而将该有机物质由该基板 ( 2 ) 去除之过程之半导体装置之制造方法,其特征为 :该处理室 ( 1 ) 系朝向大气开放;且具有一检测该间隙中所存在之该反应气体之浓度,并依据该浓度之检测値而检知该有机物质之去除处理之终点之过程者。17. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,将一紫外线光源 ( 7 ) 隔着该隔间板( 4 ) 而设于该载台 ( 3 ) 之对面。18. 如申请专利范围第l6项所述之方法,其中,系使用气体浓度检测机构来检测该反应气体之浓度。19. 如申请专利范围第18项所述之方法,其中,具有一检测过程,系用以检测出该气体浓度检测机构所检测出的该反应气体中的CO2,气体浓度变成未满一特定値之状态。20. 如申请专利范围第18项所述之方法,其中,具有 :第一配管 ( 6 ) ,系用以从该间隙中采取该反应气体并将该反应气体导送到该气体浓度检测机构。21﹒如申请专利范围第20项所述之方法,其中,在该第一配管 ( 6 ) 之中途设有第一气体流量调整机构 ( 9 ' )。22. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,该有机物质系为光电阻。23. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,该处理室 ( 1 ) 为非气密性构造,且为该处理室 ( 1 ) 外的外部大气可混入之构造。24. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,该戊台 ( 3 )上设有一用以将该基板( 2 ) 加热之基板加热机构。25. 如申请专利范围第24项所述之方法,其中,该基板加热机构系连接于一控制机构,系可控制该加热机构将基板 ( 2 ) 加热至150℃-300℃。26. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,构成该隔间板 ( 4 ) 之材料为石英。27. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,该紫外线光源 ( 7 ) 系为紫外线灯(7 )。28. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,具有一气体供给机构 ( 5 ) ,系用以将含臭气之气体供给到该间隙中。29. 如申请专利范围第28项所述之方法,其中,该气体供给机构 ( 5 ) 具有第二配管( 5 )。30. 如申请专利范围第29项所述之方法,其中,该第二配管 ( 5 ) 的中途设有第二气体流量调整机构 ( 9 )。31. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,该特定间隔系小于0.5mm。图示简单说明:第l图系本发明有机物去除装置的第l实施例所示之构成图 ;第2图系本发明有机物去除装置的第2实施例所示之构成图 ;第3图系本发明有机物去除装置的第3实施例所示之构成图 ;第4图系本发明有机物去除装置的第4实施例所示之构成图; |
