制造半导体记忆器之方法

摘要

一种制造半导体记忆器之方法，包括步骤为，在设有包括具有侧壁之若干闸部份及各闸部份间之扩散区所组成之下层布线之半导体基体上，ｉ）构成层绝缘薄膜，其扩散区之厚度较每一闸部份侧壁为小，且以较半导体基体材料更容易蚀刻之材料制成；ii）以较层绝缘薄膜容易蚀刻材料，于整个网层绝缘薄膜表面上淀积一导电层；iii）利用以产生接触洞孔之图型薄膜蚀刻方式，使除须于扩散区产生接触洞孔之部份之外之导电层概予消除；iv）淀积一绝缘薄膜及于整个表面上再度产生接触洞孔之图型薄膜；及ｖ）使绝缘薄膜消除，而以逐一蚀刻方式，使余下之导电层及层绝缘薄膜产生接触洞孔，伸展至自行调整扩散区。

主权项

1.一种半导体记忆器制造方法,其所包括步骤为,在设有由各闸区具有侧壁和扩散区之许多闸部份所组成之下方层布线之半导体基体上,i ) 构成一层绝缘薄膜,其在扩散区之厚度较在每一闸区之侧壁为小,此薄膜系以较半导体基体材料更易于蚀刻之材料制成;ii) 以较层绝缘薄膜更易于蚀刻之材料淀积导电层于层绝缘薄膜整个表面上;iii) 使用用以构成接触洞孔之图型薄膜蚀刻方式,消除导电层,但在扩散区须要构成接触洞孔之部份除外;iV) 淀积绝缘薄膜及图型薄膜,俾于整个表面上再度构成接触洞孔;及V)消除绝缘薄膜,剩余之导电薄膜及层绝缘薄膜,先后逐一蚀刻以构成接触洞孔,依自行调整方式伸展至扩散区。2.根据申请专利范围第 1 项之方法,其中之半导体基体为一矽基体,其层绝缘薄膜为二氧化矽薄膜,而其导电薄膜为一多矽层。3.一种半导体记忆器之制造方法,其包括步骤为,在设有由在各闸部份间具有侧壁和扩散区之许多闸部份所组成之下方层布线之半导体基体上,i )构成一层绝缘薄膜,其在扩散区之厚度较每一闸区之侧壁为小,此薄膜系以较半导体基体材料更易于蚀刻之材料制成之;ii) 以较层绝缘薄膜更易于蚀刻之材料于层绝缘薄膜整个表面上淀积导电层;iii) 依用以构成接触洞孔之图型薄膜蚀刻方式,消除导电层,但在扩散区内须予构成接触洞孔之部份除外;iV) 淀积绝缘薄膜及图型薄膜,以在整个表面上再度构成接触洞孔;V)以蚀刻先后逐一消除绝缘薄膜,剩余导电层及层绝缘薄膜,以构成接触洞孔自行调整伸展至扩散区;Vi) 淀积高浓度杂质掺杂多矽薄膜,并经由投射和曝光及反应离子蚀刻方式仿制多矽膜以产生电容器下方电极;及Vii) 进一步淀积高浓度杂质掺杂多矽薄膜通过 SiN 薄膜之电容器绝缘薄膜,并经由光投射和曝光,及反应离子蚀刻方式仿制多矽薄膜而产生电容器上方电极。4.根据申请专利范围第 3 项之方式,其中之半导体基体系为矽基体,层绝缘薄膜为二氧化矽膜,而导电层为多矽层。5.一种半导体记忆器制造方法,其所包括步骤为,在设有由各闸部份间有侧壁和扩散区之许多闸部份所组成之下方层布线之半导体基体上,i)构成一层绝缘薄膜,此膜在扩散区之厚度小于每一闸区之侧壁,且以较半导体基体材料更易于蚀刻之材料制成之;ii ) 以构成接触洞孔之图型薄膜蚀刻绝缘膜以产生接触洞孔依自行调整方式伸展至扩散区;Iii) 以较具有接触洞孔之层绝缘薄膜整个表面上之层绝缘薄膜更易于蚀刻材料,淀积导电层;iV) 以构成接触洞孔之图型薄膜蚀刻方式,消除导电层,但扩散区内须构成接触洞孔之部份除外,俾以用以作为埋设薄膜之剩余导电层充填接触洞孔;及V)于整个表面上淀积绝缘薄膜,及构成贯穿孔以连接绝缘膜中埋设膜上之位元线,以连接位元线通过贯穿及埋设埋设薄膜至扩散区。6.一种半导体记忆器之制造方法,其所包括之步骤为,在设有由各闸部份间具有侧壁和扩散区之许多闸部份所组成之下方层布线之半导体基体上,i )构成层绝缘膜,其在扩散之厚度小于每一闸区之侧壁,此膜系以较半导体基体材料更易于蚀刻之材料制成之;ii) 以较层绝缘膜更易于蚀刻之材料淀积导电层于层绝缘膜整个表面上;iii) 经由以构成接触洞孔图型薄膜蚀刻之方式,消除导电层,但在须于扩散区内构成电容器电极和位元线之接触洞孔之部份除外;iV) 淀积绝缘膜,然后以蚀刻使绝缘膜复原而只于与剩余导电层相接近之壁上留下绝缘膜;V)经由蚀刻消除剩余导电层;及Vi) 使层绝缘膜蚀刻复原,以自行调整构成接触洞孔。7.根据申请专利范围第 6 项之方法,其中之半导体基体为矽基体,其层绝缘膜为二氧化矽膜,而其导电层为多矽层。8.一种半导体记忆器之制造方法,所包括步骤为,在设有由各闸区间有侧壁和扩散区之许多闸部份所组成之下方层布线之半导体基体上,i ) 构成层绝缘膜,其在扩散区之厚度小于每一闸区之侧壁,而此膜系以较半导体基体材料更易于蚀刻之材料制成之;ii) 以较层绝缘膜更易于蚀刻之材料淀积导电层于层绝缘膜整个表面上;iii) 经由以构成接触洞孔图型膜蚀刻方式,消除导电层,但须于扩散区内构成电容器电极和位元线之接触洞孔之部份除外;iV) 淀积绝缘膜,并使绝缘膜蚀刻复原,而只于与剩蚀导电层相接近之壁上留下绝缘膜;V)经由蚀刻消除剩余导电层;vi) 使层绝缘膜蚀刻复原以自行调整产生接触洞孔;及Vii) 淀积有高浓度杂质掺杂之多晶矽薄膜于接触洞孔上,并使之蚀刻复原以在使与上方层布线相接触之接触洞孔内预先构成有多矽埋设层。9.根据申请专利范围第 8 项之方法,其中之半导体基体为矽基体,其层绝缘膜为二氧化矽膜,而其导电层为多矽层。图示简单说明:图 1 所示为用以说明根据本发明实施例之制法中构成电容器电极之步骤之图解;图 2 ( a ) 和 2 ( b ) 之图解用以说明主要部份之图解,显示用以使之与实施例之接触电容器电极及电容器绝缘薄膜相接触之接触洞孔;图 3 之图解用以说明根据本发明另一实施例制法中产生电容器电极之步骤;图 4 之图解用以说明主要部份之组构,显示根据实施例所产生之记忆器;图 5 ( a ) 为用以说明先前技术半导体记忆器之组构图解,显示有接触洞孔;图 5 ( b ) 所示为循沿图 5 ( a ) 之线 A- A所截取之截面;图 6 为用以说明先前技术半导体记忆器各项缺点之图解,显示出其组构型态;图 7 所示为用以说明先前技术已予改良之半导体记忆器之图解,显示其组态;图 8 至11之各图解,用以说明先前技术改良后之半导体记忆器各项缺点,显示其组态;及图12所示图解为用以说明在产生接触洞孔步骤中曝光装置调整之精确度,未使用自行调整方法。