| 主权项 |
1.一种装置可观察待测板表面多数位置之电压包含:装置可产生光学能;装置可导引该光学能成为任何极化状态之输入束;一电光学调制器装置,该电光学调制器装置具有第一面及一相对第二面其方向允许纵向几何探测,该第一面具有一传导膜电气耦合于电压共接及该第二面置于该待测板之该表面相邻区域,该调制器装置方向可拦截至少一部份该输入束,导入该调制器装置经该第一面撞击于相邻该表面该区域之该第二面,以造成沿该输入束之空间相关调制输出束,该调制与该表面上位置电压成比例;及装置可侦测该输出束端影像之该调制以分析该表面之电压。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电光学调制器装置可透射该输出束经该表面及该表面可透射该输出束使光能仅通过该电光学调制器装置一次。3.申请专利范围第1项所述之装置,其中该电光学调制器装置之该第二面有一光反射膜使该输入束与该输出束各通过该电光学调制器装置,更包括装置可自该输入束分离该输出束。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该输入束及该输出束为共线性,及该分离装置系一束分裂器。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该位置间之分离大于该表面与该第二面间之分离以便该位置电压产生于电场间之串音减至最小。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该调制系功率调制及其中该侦测装置包含装置可产生具有对应电压大小特点之可观察图像。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该图像产生装置系一摄影机。8.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电光学调制装置系一晶体。9.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电光学调制装置系一液态晶体。10.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电光学调制装置系一聚合物散布液态晶体。11.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电光学调制装置系一固态晶体。12.一种装置可同时观察待测板上多数位置之电压包含:一光源用以产生光学能;一电光学调制器装置,该电光学调制器装置具有第一面及一相对第二面其方向允许纵向几何探测,该第一面具有一传导膜电气耦合有至电压共接及该第二面系置于该待测板之该表面相邻区域,该调制器装置方向可拦截至少一部份该输入束导入该调制器装置经该第一面撞击该表面该区域相邻之该第二面,造成沿该输入束之之输出束光功率空间相关改变,该光功率改变与该表面上位置电压成比例;及装置置于可拦截该空间相关功率调制以产生具有对应电压大小特点之图像供分析该表面上之电压。13.如申请专利范围第12项所述之装置,其中该电光学调制器装置可透射该输出束经该表面及该表面可透射该输出束使光能仅能通过该电光学调制器装置一次。14.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该电光学调制器装置之该第二面有一光反射膜,使该输入束及该输出束各通过该电光学调制器装置,更包括装置可自该输入束分离该输出束及其中该分离装置系束分裂器以分裂光学能。15.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该位置间分离大于该表面与该第二面间分离以便该位置电压产生之电场间串音减至最小。16.一种方法可观察待测板上表面多数位置之电压包含:引导光学能输入束进入电光学周制器装置,该电光学调制器装置具有第一面及一相对第二面其方向允许纵向几何探测,该第一面具有传导膜电气耦合至电压共接及该第二面置于该待测板该表面之相邻区域,该电光学调制器装置方向可拦截至少一部份该输入束导入该调制器装置内经该第一面至该待测板该表面之该区域相邻之该第二面以造成沿该输入束之输出束空间相关调制,该调制与该表面上位置电压成比例;及侦测该输出束端影像之该调制以分析该表面上电压。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该调制系功率调制及其中该侦测步骤包含:自该空间相关功率调制产生一具有对应电压大小特点之可观察图像。图示简单说明:第1图为本发明第一实施例方块图。第2图为本发明第二实施例方块图。第3图相邻于待测板电光学晶体侧截面图。第4图为说明有关第3图之电压空间分布图形。 |
