| 摘要 |
<P>Procédé pour réaliser un dessin précis sur un élément semiconducteur comportant une dénivellation (30). Le procédé comprend les étapes de revêtement d'un matériau photo-sensible sur la surface du semiconducteur, pré-exposition à un rayonnement ultra-violet du matériau photo-sensible (40) se trouvant dans la zone non dénivelée qui est constituée par la surface du semiconducteur autre que la zone en dénivellation, à travers un premier masque photographique, exposition de la totalité du matériau photo-sensible à travers un second masque photographique avec un dessin donné, à un rayonnement ultra-violet, après enlèvement du premier masque photographique, et développement et enlèvement du seul matériau photo-sensible qui a été exposé au rayonnement ultra-violet dans les étapes de pré-exposition et d'exposition.</P>
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