| 主权项 |
1.一种半导体元件用之电极,该电极直接连接至半导体元件之半导体区,大致为方柱形状,其特征为:当该电极中与半导体区接触之表面之一边长度为L,另一边之长度为W,及在大致垂直交于该表面之方向上之长度为H时,L,W,H满足L>H>W之关系。2.如申请专利范围第1项所述之半导体之电极,其中,该电极包含一单晶al。3.如申请专利范围第1项所述之半导体之电极,其中,该电极包含主要由al构成之一导体。4.一种半导体装置,包含一半导体元件构制于一半导体基体之主表面上,及一电极通过主表面上所设之一绝缘薄膜之一接触孔而连接,其特征为:该接触孔具有大致方形孔口,及当该电极中与半导体区接触之表面之一边之长度为L,另一边之长度为W,及在大致垂直交于该表面之方向上之长度为H时,L,W,H满足L>H>W之关系。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中,接触孔内之电极包含一单晶al。6.如申请专利范围第4项所述之半导体之电极,其中接触孔内之电极包含主要由al 构成之一导体。7.用以制备半导体装置之一种方法,该半导体装置包含一半导体元件构制于一半导体基体之主表面上,及一电极通过主表面上所设之绝缘薄膜之接触孔而连接,该方法包括步骤:构制一接触孔,其中,当该接触孔中之孔口之一边之长度为L,另一边之长度为W,及在大致垂直交于该表面之方向上之长度为H时,L,W,H满足L>H>W之关系;及由CVD法,使用烷基铝氢化物之至少一气体及氢气,沈积Al或主要由al构成之一导体于接触孔内。8.如申请专利范围第7项所述之半导体装置之制备方法,其中,该烷基铝氢化物为二甲基铝氢化物。9.如申请专利范围第7项所述之半导体装置之制备方法,其中,在构制接触孔之步骤中,该孔内露出一电子施与表面,且在沈积步骤中,经由表面反应,选择性涂镀该al或 |
