发明名称 |
绿色立方氧化锆晶体的生长方法 |
摘要 |
本发明涉及的是一种采用冷坩埚法生长绿色立方氧化锆晶体的方法。其着色剂为氧化铜和氧化铥,经处理后,加在氧化锆和氧化钇的基质原料中,采用高频加热,获得立方氧化锆晶体,再经退火,即可获得高雅大方,光彩夺目的稀有人工绿色立方氧化锆晶体。 |
申请公布号 |
CN1062179A |
申请公布日期 |
1992.06.24 |
申请号 |
CN91111945.0 |
申请日期 |
1991.12.30 |
申请人 |
天津市硅酸盐研究所 |
发明人 |
张莲花;王文华;崇志华 |
分类号 |
C30B29/16;C30B29/22;C30B15/00;C01G25/02 |
主分类号 |
C30B29/16 |
代理机构 |
天津市第一轻工业局专利事务所 |
代理人 |
胡凤梧 |
主权项 |
1、一种冷坩埚法生长立方氧化锆的方法,基质原料是由氧化锆和氧化钇组成,其特征是在1/10-1/30的基质原料中加入氧化铜,经混合后放入刚玉坩埚中进行烧结,制成混合料,在这种混合料中加入氧化铥,经混合后制成掺质着色料,将其余基质材料装入坩埚内,再将掺质着色料放在基质料的中部,采用高频加热,冷坩埚下降法进行生长,所生长晶体再经退火,即获得绿色立方氧化锆晶体。 |
地址 |
300232天津市河北区京津公路198号 |