一种埋栅型电感应晶体管(SIT)的制造方法

摘要

本发明对静电感应晶体管(SIT)提出一种新的制造方法和工艺控制方法。这种方法使SIT的结构形成半埋栅的结构，在光刻源区时，将大面积的源区套刻在除栅墙外的源条和栅区上，以便进行大面积的源扩散。栅接触孔区直接在栅墙上光刻而成。这种方法解决了以前几种静电感应晶体管制造工艺难度大，成品率低的不足。本发明提供的方法，利用一般的晶体管生产设备和手段即可进行大量生产，使成品率提高，成本降低满足市场需要。

主权项

一种埋栅型静电感应晶体管(SIT)的制造方法，主要工艺过程和一般晶体管制造方法相同，工艺过程为：硅片氧化→光刻栅区→栅区扩散→二次氧化→光刻源区→源区扩散→三次氧化→光刻引线孔→蒸铝→光刻铝→合金→中测→划片→烧结→压焊→封帽→老化等，其特征在于：a.光刻源区时，将大面积的源区按版图3套刻在栅区2和源条1上，源区的版图3盖住除掉栅墙17以外的栅区2和源条1上，然后在上述光刻成的大面积的源区3内进行源扩散，形成半埋栅结构；b.在栅墙17上直接光刻栅接触孔5，经蒸铝后形成金属化区7。