| 主权项 |
1.一种用以形成供一多片模组用之一积体去耦电容器之方法,包括下列步骤:(a)提供一支撑基座;(b)于前述模组之前述基座上沉淀一层可阳极化之金属;(c)将前述可阳极化金属层阳极化以形成一电介体层;及(d)于前述电介体层上沉淀一层金属。2.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,其中,沉淀前述可阳极化金属之前述步骤包括溅射铝之步骤。3.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,其中,前述支撑基座系择自晶状矽、多晶矽、Al2O3.AlN、铜钨合金、石英、玻璃及一BeO矽合成物之一。4.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,更包括于前述电介体层及前述金属层间沉淀一二氧化矽层之步骤。5.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,更包括于前述电介体层及前述金属层间沉淀一氮化矽层之步骤。6.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,更包括于前述支撑基座及前述可阳极化金属层间形一绝缘层之步骤。7.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,其中,前述积体电容器实质上系形成于前述模组之整个面积上。8.如申请专利范围第1项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,其中,前述金属层包括一阳极化之第二金属层且更包括下列步骤:(e)将前述可阳极化之第二金属层阳极化以形成一第二电介体层;及(f)于前述第二电介体层上沉淀一第二金属层。9.如申请专利范围第8项中所述之形成一积体去耦电容器之方法,更包括下列步骤:(g)重覆步骤(d);及(h)重覆步骤(e)。10.一种用以制造具有一积体去耦电容器之一多片模组之方法,包括下列步骤:(a)提供一支撑基座至前述模组;(b)于前述晶片之表面区域上沉淀一层可阳极化之金属;(c)将前述可阳极化金属层阳极化以形成一电介体层;(d)于前述电介体层上沉淀一层金属;(e)沉淀一绝缘层;及(f)于前述绝缘层顶面沉淀一金属信号层;(g)形成一第一路径以接触前述可阳极化之金属层;及(h)形成一第二路径以接触前述第二金属层。11.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,更包括下列步骤:于前述电介体层及前述金属层间沉淀一二氧化矽层。12.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,更包括下列步骤:于前述电介体层及前述金属层间沉淀一氮化矽层。13.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,其中,前述金属层包括可阳极化之第二金属层且更包括下列步骤:(i)将前述可阳极化之第二金属层阳极化以形成一第贰电介体层;(j)于前述电介体层上沉淀一第二层金属。14.如申请专利范围第13项中所述之用以形成一多片模组之方法,更包括下列步骤:(k)重覆步骤(d);及(l)重覆步骤(i)。15.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,更包括下列步骤:于前述金属信号层上形成一纯化层;蚀刻前述金属信号层以形成一搭接衬壁;用以电接触一积体电路至前述多片模组。16.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,其中,沉淀前述可阳极化金属层之步骤包括溅射铝之步骤。17.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,其中,前述支撑基座系择自晶状矽、多晶矽、Al2O3.AlN、铜钨合金、石英、玻璃及一BeO矽合成物之一。18.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,更包括于前述支撑基座及前述可阳极化第一金属层间形成一绝缘层之步骤。19.如申请专利范围第10项中所述之用以形成一多片模组之方法,其中,前述积体电容器实质上系形成于前述模组之整个面积上。20.一种供一多片模组用之积体去耦电容器,包括:一由可阳极化金属所形成之第一板片;一藉前述第一板片之阳极化所形成之电介体层;及一位于前述电介体上而由金属所形成之第二板片。21.如申请专利范围第20项中所述之积体去耦电容器,更包括:一支撑基座上设置有前述第一板片。22.如申请专利范围第21项中所述之积体去耦电容器,其中,前述电容器实质上系形成前述支撑基座之所有表面区域上。23.如申请专利范围第20项中所述之积体去耦电容器,更包括:一藉前述第二金属板片之阳极化所形成之第二电介体层,其中,前述第二板片包括可阳极化之金属。24.如申请专利范围第21项中所述之积体去耦电容器,其中,前述支撑基座系择自晶状矽、多晶矽、Al2O3.AlN、铜钨合金、石英、玻璃及一BeO矽合成物。25.如申请专利范围第20项中所述之积体去耦电容器,其中,前述可阳极化金属包括铝。26.一种用以相互连接多数个积体电路之多片模组,包括:一支撑基座;形成于前述支撑基座上之一层可阳极化之金属;将前述可阳极化金属层阳极化所形成之一电介体层;设于前述电介体层上之一金属层;设于前述金属层上之一绝缘层;及设于前述绝缘层上之一金属信号层。27.如申请专利范围第26项中所述之多片模组,其中,前述支撑基座系择自晶状矽、多晶矽、Al2O3.AlN、铜钨合金、石英、玻璃及一BeO矽合成物。28.如申请专利范围第26项中所述之多片模组,更包括:将前述第二金属层阳极化所形成之一第二电介体层,其中,前述第二金属层包括可阳极化之金属;及设置于前述第二电介体层及前述级缘层间之一第三金属层。29.如申请专利范围第26项中所述之多片模组,其中,前述可阳极化金属包括铝。30.如申请专利范围第26项中所述之多片模组,更包括设置于前述电介体层及前述金属层间之一二氧化矽层。31.如申请专利范围第26项中所述之多片模组,更包括设置于前述电介体层及前述金属层间之一氮化矽层。32.如申请专利范围第20项中所述之积体去耦电容器,更包括设置于前述电介体层及前述二板片间之一二氧化矽层。33.如申请专利范围第20项中所述之积体去耦电容器,更包括设置于前述电介体层及前述二板片间之一氮化矽层。34.一种用以于一多片模组中将一金属信号层隔离一传导平面之绝缘层,包括:具有厚度介于大约5至20微米间之一二氧化矽层。35.一种用以于一多片模组中将一金属信号层隔离一电力供给之绝缘层,包括:具有小于大约2109达因/平方公分之一剩余的压缩应力及厚度介于大约5至20微米间之一二氧化矽层。36.如申请专利范围第35项中所述之绝缘层,其中,前述剩余的压缩力系小于大约1109达因/平方公分。37.一种用以相互连接多数个积体电路之多片模组,包括:一支撑基座;一传导平面;一金属信号层;及用以将前述金属信号层隔离前述传导平面之一二氧化矽绝缘层,具有小于大约2109达因/平方公分之一剩余的压缩应力及厚度介于大约5至20微米间之一二氧化矽层。38.如申请专利范围第37项中所述之多片模组,其中,前述剩余的压缩应力系小于大约1109达因/平方公分。39.如申请专利范围第37项中所述之多片模组,其中,前述传导平面包括:一电力平面;及一接地平面。40.如申请专利范围第39项中所述之多片模组,其中,前述传导平面更包括:设置于前述电力及接地平面间之一电介体。41.一种用以于一多片模组中制造一绝缘层以将前述多片模组之一传导平面隔离前述多片模组之一金属信号层之方法,包括下列步骤:沉淀一二氧化矽层,故位于前述二氧化矽层上之一剩余的压缩压力系小于大约2109达因/平方公分。42.如申请专利范围第41项中所述之用以于一多片模组中制造一绝缘层之方法,其中,沉淀前述绝缘层之步骤包括沉淀前述绝缘层至介于大约5至20微米之一厚度之步骤。43.如申请专利范围第41项中所述之用以制造一绝缘层之方法,其中,沉淀前述绝缘层之步骤包括使用游离气来加强化学蒸汽沉淀之前述二氧化矽层之沉淀步骤。44.一种用以供一多片模组制造一绝缘层以将前述多片模组之一传导平面隔离前述多片模组之一金属信号层之方法,包括下列步骤:沉淀一二氧化矽层,故位于前述二氧化矽层上之一剩余的压缩压应力系小于大约1109达因/平方公分。45.如申请专利范围第44项中所述之用以于多片模组中制造一绝缘层之方法,其中,沉淀前述绝缘层之步骤包括沉淀前述绝缘层至介于大约5至20微米之一厚度之步骤。46.如申请专利范围第44项中所述之用以制造一绝缘层之方法,其中,沉淀前述绝缘层之步骤包括使用游离气来加强化学蒸汽沉淀之前述二氧化矽层之沉淀步骤。47.一种用以制造供相互连接多数个积体电路用之一多片模组之方法,包括下列步骤:提供一支撑基座;于前述支撑基座上形成一传导平面;于前述传导平面上沉淀具有小于大约2109达因/平方公分之一剩余的压缩应力及具有厚度介于大约5至20微米间之一二氧化矽层;及于前述二氧化矽层上形成一金属信号层。48.如申请专利范围第47项中所述之用以制造一多片模组之方法,其中,沉淀二氧化矽之前述步骤包括使用游离气来加强化学蒸汽沉淀之二氧化矽之沉淀。49.如申请专利范围第47项中所述之用以制造一多片模组之方法,更包括下列步骤:形成经前述二氧化矽及前述金属信号层以接触前述传导平面之一路径。50.如申请专利范围第47项中所述之用以制造一多片模组之方法,更包括下列步骤:于前述金属信号层上形成一钝化层;及形成经前述钝化层接触前述金属信号层之一路径。51.如申请专利范围第47项中所述之用以制造一多片模组之方法,其中,形成一传导平面之前述步骤更包括下列步骤:形成一电力平面;及形成一接地平面。52.如申请专利范围第51项中所述之用以制造一多片模组之方法,其中,形成一传导平面之前述步骤更包括于前述电力及接地平面间沉淀一电介体之步骤。53.一种用以制造供相互连接多数个积体电路用之一多片模组之方法,包括下列步骤:提供一支撑基座;于前述支撑基座上形成一传导平面;于前述传导平面上沉淀具有小于大约2109达因/平方公分之一剩余的压缩应力及具有厚度介于大约5至20微米间之一二氧化矽层;及于前述二氧化矽层上形成一金属信号层。54.如申请专利范围第53项中所述之用以制造一多片模组之方法,其中,沉淀二氧化矽之前述步骤包括使用游离气来加强化学蒸汽沉淀之沉淀二氧化矽之步骤。55.如申请专利范围第53项中所述之用以制造一多片模组之方法,更包括下列步骤:形成经前述二氧化矽及前述金属信号层以接触前述传导层之一路径。56.如申请专利范围第53项中所述之用以制造一多片模组之方法,包括下列步骤:于前述金属信号层上形成一钝化层;及形成经前述钝化层接触前述金属信号层之一路径。57.如申请专利范围第53项中所述之用以制造一多片模组之方法,其中,形成一传导层之前述步骤更包括下列步骤:形成一电力平面;及形成一接地平面。58.如申请专利范围第57项中所述之用以制造一多片模组之方法,其中,形成一传导层之步骤更包括下列步骤:于前述电力及接地平面间沉淀一电介体。59.一种用以将一积体电路机械式地附着至一矽电路板之物质,包括:一环氧材料;分散于前述环氧材料内之一高原子序材料。60.一种用以将一积体电路电连接至一矽电路板之方法,包括下列步骤:将前述积体电路结合至矽电路板之反向导线楔。61.一种将一积体电路固定至一矽电路板之方法,包括下列步骤:于前述积体电路及前述矽电路板间设一黏着层,以机械式地固定前述积体电路至前述矽电路板;及将前述积体电路结合至矽电路板以电连接前述积体电路至前述矽电路板之反向导线楔。62.如申请专利范围第61项中所述之将一积体电路固定至一矽电路板之方法,其中,设一黏着材料之步骤包括下列步骤:分配具有分散于前述环氧材料内之一高原子序材料之一环氧材料。63.如申请专利范围第61项中所述之固定一积体电路之方法,其中,设一黏着材料之前述步骤包括下列步骤:分配有金钢石粉末分散于整个环氧材料内之一环氧材料。64.如申请专利范围第61项中所述之固定一积体电路之方法,其中,设一环氧材料之前述步骤包括下列步骤:分配有氮化硼分散于整个环氧材料内之一环氧材料。65.如申请专利范围第61项中所述之固定一积体电路之方法,其中,设一黏着材料之前述步骤包括下列涉骤:分配一非传导性电黏着物及热传导性黏着物。66.一种组合多数个积体电路以形成一多片模组且连接前述多片模组至一印刷电路板之方法,包括下列步骤:将一矽电路板安装至一刚性支撑材料上;机械式地将前述多数个积体电路附着至前述矽电路以形成一多片模组;将前述多数个积体电路电连接至前述矽电路板;密封前述多片模组之至少一内部表面部份;将前述多片模组安装于前述印刷电路板上;及将前述印刷电路板电连接至前述多片模组之一组合衬垫。67.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,更包括下列步骤:密封一最终的印刷电路板及多片模组结构。68.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,电连接前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括反向楔导线之结合。69.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,机械式附着前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括:分配具有一高原子序材料分散于整个环氧材料上之一环氧材料。70.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,机械式附着前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括:分配具有金刚石粉末分散于整个环氧材料上之一环气材料。71.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,机械式附着前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括:分配具有氮化硼分散于整个环氧材料上之一环氧材料。72.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,机械式附着前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括:分配一黏着材料,其中,前述黏着材料不具电传导性而具热传导性。73.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,电连接前述印刷电路板至一结合衬垫之前述步骤包括导线结合。74.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,其中,机械式附着及电连接前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括:分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层于前述矽电路板之一表面上,其中,前述黏着层系被沉淀成具有一空隙以暴露出前述矽电路板之一下面的结合衬垫;及于前述不具电传导性而具热传导性之黏着层上及前述空隙内分配一具电传导性之黏着层。75.如申请专利范围第66项中所述之用以组合之方法,更包括:其中,机械式附着及电连接前述多数个积体电路至前述矽电路板之前述步骤包括:分配一不其电传导性而具热传导性之黏着层于矽电路板之一表面上之步骤,其中,前述黏着层系被沉淀成具有一空隙以暴露出前述矽电路板之一下面的结合衬垫;及附着一电传导性材料至前述积体电路之背侧及至前述结合衬垫。76.一种用以机械式且电连接一积体电路至一矽电路板之方法,包括下列步骤:分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层于前述矽电路板之一表面上,其中,前述黏着层系被沉淀成具有一空隙以暴露出前述矽电路板之一下面的结合衬垫;及于前述不具电传导性而具热传导性之黏着层上及前述空隙内分配一具电传导性之黏着层。77.如申请专利范围第76项中所述之用以组合之方法,其中,分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层于前述步骤包括下列步骤:分配具有氮化硼分散于整个环氧材料上之一环氧材料。78.如申请专利范围第76项中所述之用以组合之方法,其中,分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层之前述步骤包括下列步骤:分配具有金刚石粉末分散于整个环氧材料之一环气材料。79.一种用以机械式且电连接一积体电路至一矽电路板之方法,分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层于前述矽电路板之一表面上,其中,前述黏着层系被沉淀成具有一空隙以暴露出前述矽电路板之一下面的结合衬垫;及附着一电传导性材料至前述结合衬垫及前述积体电路之背侧。80.如申请专利范围第79项中所述之用以机械式且电连接之方法,其中,分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层之前述步骤包括下列步骤:分配具有氮化硼分散于整个环氧材料上之一环氧材料。81.如申请专利范围第79项中所述之用以机械式且电连接之方法,其中,分配一不具电传导性而具热传导性之黏着层之前述步骤包括下列步骤:分配具有金刚石粉末分散于整个环氧材料上之一环氧材料。82.一种用以相互连接多数个积体电路之多片模组,包括:一传导平面;一金属信号层;配置于前述传导平面及金属信号层间之一绝缘层;位于前述多片模组之一顶面上之一钝化层;多数个具有衬垫之区域,系藉蚀刻前述钝化层而形成,以暴露出前述金属信号层,其中,前数多个积体电路之一可于前述具有衬垫之区域之一位置处被电耦合至前述多片模组;及至少而组结合衬垫,每一组均具有不同的几何形状,系被包含于至少一个之前述多数个具有衬垫之区域内。83.如申请专利范围第82项中所述之多片模组,更包括被设置于邻近前述传导平面之一支撑基座。84.如申请专利范围第82项中所述之多片模组,其中,前述传导平面包括:一接地平面;及一电力平面。85.一种用以于具有一金属信号层之一多片模组中制造一衬垫结构之方法,包括下列步骤:于前述信号层上形成一钝化层;于所选择的区域中蚀刻前述钝化层以暴露出前述金属信号层,进而形成多数个具有衬垫之区域,其中,一单一积体电路可被电耦合至位于一特定的具有衬垫区域之一位置之前述多片模组;及形成至少两组衬垫,在至少一个之前述具有衬垫之区域内之每一组均具有不同的几何形状。86.一种供一多片模组用之金属信号层,包括:一氮化钽层;位于前述氮化钽层上方之一传导材料层,该传导材料层具有供电连接前述氮化钽层用以形成一电阻器之一通路。87.如申请专利范围第86项中所述之金属信号层,其中,前述传导层包括:一铜层;及位于前述铜层上方之一钽层。88.如申请专利范围第86项中所述之金属信号层,其中,前述传导材料层包括:一铜层;及位于前述铜层上方之一氮化钽层。89.一种用以于一多片模组中形成一金属信号层之方法,包括下列步骤:沉淀一氮化钽层;于前述氮化钽层上沉淀一传导层;及创造通过前述传导层之一通路,以暴露前述氮化层而形成一电阻器区域。90.如由请专利范围第89项中所述之用以形成金属信号层之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤包括沉淀一铜层之步骤。91.如申请专利范围第89项中所述之用以形成金属信号层之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤更包括下列步骤:沉淀一铜层;于前述铜层上沉淀一黏着属。92.如申请专利范围第91项中所述之用以形成金属信号层之方法,其中,前述沉淀一黏着层之步骤包括沉淀钽。93.如申请专利范围第91项中所述之用以形成金属信号层之方法,其中,前述沉淀一黏着层之步骤包括沉淀氮化钽。94.一种供一多片模组用之金属信号层结构,包括:一第一金属层;一第二金属层;一绝缘层,系设于前述第一及第二金属层间且具有一开口;及一金属条片,系设于前述开口内且耦合至前述第一及第二金属层,以电耦合前述第一金属层至前述第二金属层。95.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述第一金属层包括铝。96.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述第一金属层更包括:一黏着层;及设于前述黏着层上方之一传导层。97.如申请专利范围第96项中所述之金属信号层结构,其中,前述传导层更包括一第二黏着层。98.如申请专利范围第96项中所述之金属信号层结构,其中:前述黏着层包括氮化;及前述传导层包括铜。99.如申请专利范围第98项中所述之金属信号层结构,其中,前述传导层更包括:位于前述铜层上方之一钽层。100.如申请专利范围第98项中所述之金属信号层结构,其中,前述传导层更包括:位于前述铜层上方之一氮化层。101.如申请专利范围第98项中所述之金属信号层结构,其中,前述传导层具有一通路以暴露前述氮化钽层并形成一电阻器。102.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述第一金属层更包括一电阻器。103.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述第一金属层包括铝。104.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述第一金属层更包括:一黏着层;及设于前述附着层上方之一传导层。105.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述传导层更包括一第二黏者层。106.如申请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中:前述黏着层包括氮化钽;及前述传导层包括铜。107.如由请专利范围第94项中所述之金属信号层结构,其中,前述绝缘层包括二氧化矽。108.一种用以于一多片模组中形成一金属信号层结构之方法,包括下列步骤:沉淀一第一金属层;沉淀一第二金属层;于前述第一及第二金属层间沉淀一绝缘层;创造穿过前述第二金属层及前述绝缘层以暴露前述第一金属层之一开口;及于前述开口内形成一金属条片以耦合前述第一金属层至前述二金属层。109.如申请专利范围第108项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中:前述沉淀一第一金属层之步骤包括沉淀铝之步骤。110.如申请专利范围第108项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中:前述沉淀一第二金属层之步骤包括沉淀铝。111.如申请专利范围第108项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一绝缘层之步骤包括沉淀二氧化矽之步骤。112.如申请专利范围第108项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一第一金属层之步骤更包括下列步骤:沉淀一黏着层;及沉淀一传导层。113.如申请专利范围第112项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一第一金属层之步骤更包括下列步骤:创造穿过前述传导层以暴露前述黏着层并形成一电阻器区域之一通路。114.如申请专利范围第112项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一黏着层之步骤包括沉淀氮化钽之步骤。115.如申请专利范围第112项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤包括沉淀铜之步骤。116.如申请专利范围第112项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤包括下列步骤:沉淀一铜层;及于前述铜层上方沉淀一氮化钽层。117.如申请专利范围第112项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤更包括下列步骤:沉淀一铜层;及于前述铜层上方沉淀一钽层。118.如申请专利范围第108项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一第二金属层之步骤更包括下列步骤:沉淀一黏着层;及于前述黏着层上方沉淀一传导层。119.如申请专利范围第118项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一黏着层之步骤包括沉淀氮化之步骤。120.如申请专利范围第118项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤包括下列步骤:沉淀一铜层;及于前述铜层上沉淀一钽层。121.如申请专利范围第118项中所述之用以形成一金属信号层结构之方法,其中,前述沉淀一传导层之步骤包括下列步骤:沉淀一铜层; 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