| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括具有源极与吸极区域之绝缘闸型电晶体,此电晶体包括:半导体,一片闸绝缘薄膜及一个闸电极区域,其中,该源极与吸极区域,闸绝缘薄膜及入基质中闸电极区域系以沿着半导体基质的主面之方向予以并置,且将其至少一部份埋置入基质中。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,电晶体的通道系以沿着横越基质的主面之该面的方向予以形成,载体系以沿着主面之方向而移动。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,半导体区域,系被形成在闸电极区域之下面,并配置源极与吸极区域,而将闸电极夹置在其中间。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,组成闸电 |
