发明名称 制造单晶硅的设备
摘要 在本发明的单晶硅制造设备中,有一热辐射屏在单晶生长区上方,以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射,而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料,一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外,坩埚内部还被一加工成许多小孔的隔离部件隔开,或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧,使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
申请公布号 CN1018001B 申请公布日期 1992.08.26
申请号 CN90102475.9 申请日期 1990.03.30
申请人 日本钢管株式会社 发明人 神尾宽;荒木健治;兼武;岛芳延
分类号 C30B15/00;C30B29/06 主分类号 C30B15/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖掬昌;吴秉芬
主权项 1.一种制造单晶硅的设备包括:一个容纳熔融硅的可旋转石英坩埚;一个将上述石英坩埚内部分隔成一个内侧单晶生长区和一个外侧物料熔化区的石英隔离件;至少一个小孔被加工成可穿通上述石英隔离件;一个环绕上述石英坩埚的结构加热器;连续向上述物料熔化区输送硅料的装置;以及一个热辐射屏,它包括用于屏蔽来自上述单晶硅生长区中熔融硅表面的热辐射部件,一个靠近上述屏蔽部件中心的、用来调节热辐射量的开口,该热辐射屏安装在上述单晶生长区上方,以减少和调节熔隔硅中的氧量;其中所说的热辐射屏由耐火纤维材料构成,借助调节该耐之材料的数量来提供一个合适的热辐射量;且所说的耐火纤维材料用一块金属板覆盖。
地址 日本东京都