集成电路器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：衬底；第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域，它们在衬底上在第一方向上延伸；衬底上的第一栅线和第二栅线，它们在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第一接触结构和第二接触结构。第一栅线和第二栅线分别与第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域交叉。第一接触结构位于第一栅线一侧的第一鳍式有源区域上并且接触第一栅线。第二接触结构位于第二栅线一侧的第二鳍式有源区域上。第一接触结构包括包含金属硅化物的第一下接触部分以及第一下接触部分上的第一上接触部分。第二接触结构包括包含金属硅化物的第二下接触部分以及第二下接触部分上的第二上接触部分。

主权项

一种集成电路器件，包括：衬底；第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域，所述第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域在衬底上彼此间隔开，第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域在第一方向上延伸；位于衬底上的第一栅线和第二栅线，第一栅线和第二栅线在与第一方向交叉的第二方向上直线延伸，并且第一栅线和第二栅线分别与第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域交叉；位于第一鳍式有源区域上的第一接触结构，所述第一接触结构在第一栅线的一侧，所述第一接触结构接触第一栅线，所述第一接触结构包括第一下接触部分以及第一下接触部分上的第一上接触部分，第一下接触部分包括金属硅化物；以及位于第二鳍式有源区域上的第二接触结构，所述第二接触结构在第二栅线的一侧，所述第二接触结构包括第二下接触部分以及位于第二下接触部分上的第二上接触部分，并且所述第二下接触部分包括金属硅化物。