发明名称 电子管之阴极构造
摘要 一种电子管用之阴极构造,其包括有一具有上热辐射部份及下支持部份之阴极套管、以及包括有一阴极套管座。该上热辐射部份系藉由涂覆于其内之铬之氧化而黑化,以使得其热辐射率提高,而该下支持部份则系覆有一层镍,以防止铬之氧化,以便于用电阻熔接之方式将之连结于阴极套管。
申请公布号 TW194791 申请公布日期 1992.11.11
申请号 TW081204350 申请日期 1991.09.12
申请人 金星股份有限公司 发明人 李庆相
分类号 H01J1/00 主分类号 H01J1/00
代理机构 代理人 吴宏山 台北巿中山区南京东路三段一○三号十楼;林志诚 台北巿南京东路三段一○三号十楼
主权项 1.一种电子管之阴极构造,其包括有一阴极套管座、一加热器、一套管盖、一阴极套管,其中之阴极套管系呈一步阶状之结构,其上部为上热辐射部俗而下部为一下支持部份,下支持部份系插置于阴极套管座内,其特征系在于该阴极套管之下支持部份之外音表面均匀形成有一预定厚度之底层,以在该阴极套管置于一高温潮湿之氢环境中,阴极套管之上热辐射部份因铬氧化而黑化,而下支持部份则未予黑化,其下支持部份复由电阻熔接固设于该阴极套管座内。2.依据申请专利范围第1项所述之电子管之阴极构造,该防止黑化之底层系为镍,为其特征者。3.依据申请专利范围第1项所述之电子管之阴极构造,其特征乃在于该套管之上热幅射部份系一圆筒状之构件,而下支持部份则具有一与之不同之直径者。4.依据申请专利范围第1项昕述之电子管之阴极构造,其特征在于该阴极套管之上热辐射部份系呈一圆筒状之构造
地址 韩国